[发明专利]一种占空比为25%的分频器在审
| 申请号： | 201610247198.2 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105763219A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李嘉进;章国豪;陈锦涛;蔡秋富;余凯;林俊明 | 申请（专利权）人： | 佛山臻智微芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H03K23/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 刘媖 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 25 分频器 | ||
【权利要求书】：
1.一种占空比为25%的二分频器，包括三态电路和锁存器，其特征在于：所述的三态电路为一个使能控制的CMOS反相器，所述的三态电路包括第一三态电路、第二三态电路、第三三态电路和第四三态电路，上述四个三态电路首位相连，所述的锁存器包括第一锁存器和第二锁存器，由两个CMOS反相器互相首尾相接构成，所诉的第一锁存器的一端接在第一三态电路和第二三态电路的连线上，另一端接在第三三态电路和第四三态电路的连线上，所述的第二锁存器的一端接在第一三态电路和第四三态电路的连线上，另一端接在第二三态电路和第三三态电路的连线上。
2.根据权利要求1所述的一种占空比为25%的二分频器，其特征在于：所述的三态电路包括第一PMOS管、第一NMOS管、第一MOS管和第二MOS管，所述的第一PMOS管的输入端和第一NMOS管的输入端相连，第一PMOS管的源极接VDD，第一NMOS管的源极接地，第一MOS管和第二MOS管的源极或漏极相互连接，而第一MOS管的源极或漏极连接第一PMOS管的漏极，第二MOS管的源极或漏极连接第一NMOS管的漏极，输出信号从第一NMOS管的漏极引出。
3.根据权利要求1或2所述的一种占空比为25%的二分频器，其特征在于：所述的锁存器输出跨导比三态电路的输出跨导要低。
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