[发明专利]反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括托盘和基座，所述托盘用于承载多个晶片；所述基座用于承载所述托盘，且所述基座是可升降的，以上升至工艺位置进行工艺，或者下降至装卸位置进行取放所述托盘的操作，其特征在于，还包括遮挡板和支撑件，其中，

所述遮挡板在所述基座位于所述工艺位置时，置于所述托盘上，且在所述遮挡板上设置有多个通孔，所述多个通孔与所述托盘上的多个晶片一一对应，所述遮挡板用于遮挡所述托盘的无晶片区域；

所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时，支撑所述遮挡板，以使所述遮挡板与所述托盘相分离。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述托盘采用碳化硅制作。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述托盘采用铝合金制作。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，对所述托盘进行表面硬质阳极氧化处理。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括衬环，用于保护所述反应腔室的内壁；所述衬环的下端具有环形支撑部，所述环形支撑部用作所述支撑件。

6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，在所述遮挡板的底部，且与所述环形支撑部相对应的位置处设置有环形凹槽，所述环形支撑部在所述基座离开所述工艺位置时，位于所述环形凹槽内。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑件包括至少三个支撑柱，且环绕设置在所述基座的周围。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，在所述遮挡板的底部，且与各个支撑柱一一对应地位置处设置有至少三个凹槽，各个所述支撑柱在所述基座离开所述工艺位置时，一一对应地位于各个凹槽内。

9.一种半导体加工设备，包括预清洗腔室和反应腔室，其中，所述预清洗腔室用于对晶片进行预清洗工艺，以去除晶片表面的杂质；所述反应腔室用于在所述晶片完成所述预清洗工艺之后，对所述晶片进行工艺，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-8任意一项所述的反应腔室。

10.根据权利要求9所述的半导体加工设备，其特征在于，所述反应腔室用于物理气相沉积腔室或者磁控溅射腔室。