[发明专利]带隙参考电压产生电路

说明书

本发明公开一种带隙参考电压产生电路，包括第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路、第一比例放大电路、第二比例放大电路和电压求和电路；第一参考电压产生电路能够产生随温度升高呈现下开口抛物线特性的第一参考电压；第二参考电压产生电路能够产生随温度升高呈现上开口抛物线特性的第二参考电压；第一比例放大电路对第一参考电压产生电路输出的第一参考电压进行放大处理；第二比例放大电路对第二参考电压产生电路输出的第二参考电压进行放大处理；电压求和电路对经过放大处理的第一参考电压和经过放大处理的第二参考电压进行求和，输出带隙参考电压。与现有的带隙参考电压产生电路相比，本发明公开的带隙参考电压产生电路的温度系数更低。

技术领域

本发明属于参考电压产生电路技术领域，尤其涉及一种带隙参考电压产生电路。

背景技术

在数模混合信号电路(如射频电路和片上系统)和单纯的模拟电路中，都需要带隙参考电压。

带隙参考电压通常是对一个具有正温度系数的电压和一个具有负温度系数的电压求和，获得标称为零温度系数的参考电压。其中，正温度系数的电压是通过两个电流密度不同的双极型晶体管的基射电压Vbe的差值△Vbe来实现。负温度系数的电压是通过一个双极型晶体管的基射电压Vbe来实现，原因在于双极型晶体管的基射电压Vbe具有负温度系数。

图1为现有的基于上述原理构建的一种带隙参考电压产生电路。但是，申请人发现该电路不能真正达到零温度系数，只是减小了带隙参考电压随温度变化而变化的程度，通过测试发现：当温度从-40℃到85℃变化时，该电路产生的带隙参考电压有3.34mV的变化，温度系数约为22ppm/℃。

因此，如何提供一种具有更低温度系数的带隙参考电压产生电路，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有更低温度系数的带隙参考电压产生电路。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明公开一种带隙参考电压产生电路，包括第一参考电压产生电路、第二参考电压产生电路、第一比例放大电路、第二比例放大电路和电压求和电路；

所述第一参考电压产生电路能够产生随温度升高呈现下开口抛物线特性的第一参考电压；

所述第二参考电压产生电路能够产生随温度升高呈现上开口抛物线特性的第二参考电压；

所述第一比例放大电路的输入端与所述第一参考电压产生电路的输出端连接，所述第一比例放大电路的输出端与所述电压求和电路的第一输入端连接，所述第一比例放大电路对所述第一参考电压产生电路输出的第一参考电压进行放大处理；

所述第二比例放大电路的输入端与所述第二参考电压产生电路的输出端连接，所述第二比例放大电路的输出端与所述电压求和电路的第二输入端连接，所述第二比例放大电路对所述第二参考电压产生电路输出的第二参考电压进行放大处理；

所述电压求和电路对经过放大处理的第一参考电压和经过放大处理的第二参考电压进行求和，输出带隙参考电压。

优选的，上述带隙参考电压产生电路中，所述第一参考电压产生电路包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管、第一电阻、第二电阻和第一运算放大器；

其中，所述第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和第三MOS晶体管均为P型MOS晶体管，所述第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管均为PNP型双极型晶体管，所述第一双极型晶体管和所述第三双极型晶体管的发射极面积相等，所述第二双极型晶体管的发射极面积为所述第一双极型晶体管的发射极面积的n倍，n为大于1的整数；