[发明专利]一种低功耗电压产生电路

权利要求书

1.一种低功耗电压产生电路，其特征在于，包括：

偏置电路，所述偏置电路用于产生偏置电流；

电压调节电路，包括串联的带有相反温度系数的第一元件及第二元件；所述电压调节电路用于接收所述偏置电流，并输出参考电压，所述参考电压通过所述第一元件和所述第二元件后不随温度变化；以及

输出模块，所述输出模块设定有补偿电压，并利用所述补偿电压对所述参考电压进行补偿后予以输出。

2.根据权利要求1所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，所述低功耗电压产生电路包括电压输入端、接地端、偏置电流节点及参考电压节点；

其中，所述偏置电路、所述电压调节电路和所述输出模块均与所述电压输入端和所述接地端电连接，所述电压调节电路通过所述偏置电流节点与所述偏置电路电连接，所述电压调节电路通过所述参考电压节点与所述输出模块电连接。

3.根据权利要求2所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，还包括电压输出端，所述输出模块包括第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管：所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管均包括源极、漏极和栅极；

其中，所述第三NMOS晶体管的漏极与所述电压输入端电连接，所述第三NMOS晶体管的栅极与所述参考电压节点电连接，所述第三NOMS晶体管的源极分别与所述电压输出端、所述第四NMOS晶体管的漏极及所述第四NMOS晶体管的栅极电连接，所述第四NMOS晶体管的源极电连接至所述接地端。

4.根据权利要求3所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，所述电压输出端输出的电压值等于所述参考电压节点处的电压值减去所述第三NMOS晶体管的阈值电压值。

5.根据权利要求4所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，所述电压调节电路用于接收所述偏置电流并产生镜像电流，以使所述镜像电流流经所述第一元件和所述第二元件后产生不随温度变化的所述参考电压。

6.根据权利要求5所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第一电阻：所述第一PMOS晶体管、所述第二PMOS晶体管、所述第一NMOS晶体管及所述第二NMOS晶体管均包括源极、漏极和栅极；

其中，所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极均与所述电压输入端电连接，所述第一PMOS晶体管的漏极分别与所述第一NMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的栅极及所述第二NMOS晶体管的栅极电连接，所述偏置节点分别与所述第二PMOS晶体管的漏极、所述第二PMOS晶体管的栅极、所述第一PMOS晶体管的栅极及所述第二NMOS晶体管的漏极电连接，所述第一NMOS晶体管的源极与所述接地端电连接，所述第二NMOS晶体管的源极通过所述第一电阻与所述接地端电连接。

7.根据权利要求6所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，

流经所述第一NMOS晶体管的所述偏置电流满足以下函数关系：

其中，I₁是所述偏置电流，μ₁是所述第一NMOS晶体管的载流子迁移率，C_OX1是所述第一NMOS晶体管的单位面积栅氧化物电容，(W/L)₁是第一NMOS晶体管的宽长比，R是所述第一电阻的阻值，及K是所述第二NMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管的尺寸比值。

8.根据权利要求7所述的低功耗电压产生电路，其特征在于，所述电压调节电路还包括至少一薄膜晶体管。