[发明专利]叠堆状的光耦合器组件

权利要求书

1.一种叠堆状的光耦合器组件(OPT)，其具有：

具有发射区域(SF)的发射组件(S)，其中，所述发射区域(SF)具有表面，

具有接收区域(EF)的接收组件(E)，其中，所述接收区域(EF)具有表面，

板状的电绝缘体(IS)，

其中，所述绝缘体(IS)构造在所述发射组件(S)和所述接收组件(E)之间，

所述发射组件(S)和所述接收组件(E)和所述绝缘体(IS)叠堆状地彼此重叠地布置，

所述发射组件(S)和所述接收组件(E)在电方面彼此分离、然而在光方面彼此耦合，其中，所述绝缘体(IS)至少对于所述发射区域(SF)的发射波长的一部分透明，

所述发射区域(SF)的表面的重心线和所述接收区域(EF)的表面的重心线基本上或精确地相互平行，

这两个重心线之间的错位小于相应重心线与所述发射区域(SF)的表面的外棱边或者与所述接收区域(EF)的表面的外棱边的距离的一半或十分之一或五十分之一，从而所述发射组件(S)的光主要或仅仅通过所述绝缘体(IS)作用到所述接收组件(E)上，

所述绝缘体(IS)在所有侧上从叠堆凸台状地凸出，

所述接收组件(E)具有N个相互串联连接的部分电压源，其中，N是自然数且≥2，

各个部分电压源的部分电压彼此的偏差小于20％，

所述部分电压源中的每一个具有半导体二极管(D1，…，DN)，所述半导体二极管具有p-n结，

在各两个相继的部分电压源之间构造有隧道二极管(TD1，…，TDN-1)，

其中，所述部分电压源和所述隧道二极管(TD1，…，TDN-1)一起单片式地集成。

2.根据权利要求1所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射区域(SF)的表面的大小与所述接收区域(EF)的表面的大小之间的差小于20％。

3.根据权利要求1或2所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射区域(SF)的表面和所述接收区域(EF)的表面具有四边形状并且相应的四边形的最大边长小于2mm。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，由发射组件(S)和绝缘体(IS)和接收组件(E)组成的叠堆集成在一个共同的壳体(G)中。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射区域(SF)的表面与所述接收区域(EF)的表面同样大，并且除电连接区域以外整个发射区域(SF)发射光(L)并且整个接收区域(EF)吸收光(L)。

6.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射区域(SF)的表面和所述接收区域(EF)的表面是正方形的并且分别具有大于0.2×0.2mm²且小于4mm²或小于1mm²的基本面积。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射组件(S)具有用于发射器的波长的光学镜或者具有RCLED或表面发射激光器。

8.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，板状的所述绝缘体(IS)由塑料和或由玻璃和或由氧化铝和或由环氧树脂和或由硅酮组成。

9.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述绝缘体(IS)在所有侧上从所述叠堆凸出至少5μm。

10.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述绝缘体(IS)的厚度小于0.5mm，并且最小是50μm。

11.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射区域(SF)的发射波长等于所述接收区域(EF)的吸收棱边或者比所述接收区域的吸收棱边小最多10％。

12.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述发射组件(S)和所述接收组件(E)由III-V族材料构造。

13.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT)，其特征在于，所述接收组件(E)包括GaAs衬底和/或者Ge衬底。