[发明专利]半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法有效
| 申请号: | 201610242865.8 | 申请日: | 2016-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN107305841B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 叶斌斌;徐真逸;张育民;王建峰;徐科 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘 支撑 氮化 材料 表面 欧姆 接触 制备 方法 | ||
1.一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法,其特征在于包括:
s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属,所述Ti/Al/Ni/Au四层金属厚度分别为20~25nm、120~130nm、20~50nm、100~150nm;
s12、在氮气气氛下退火,形成欧姆接触,其中采用的退火温度850~890℃,退火时间25~30秒。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s11还包括:对镓面使用丙酮清洗3~5min,再使用异丙醇清洗3~5min,最后用去离子水冲洗并用氮气吹干,之后进行蒸镀。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤s12中所述欧姆接触的电极图形为圆形传输线结构。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于包括:通过探针对镓面欧姆接触进行接触测量,获得电流电压曲线,以计算氮化镓材料的电阻率。
5.一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法,其特征在于包括:
s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理,采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层,通过退火进行表面修复,其中刻蚀所需气体分别为:Cl2流量为80~85sccm,BCl2为10~15 sccm,刻蚀时间为3~5min,退火温度为400℃~500℃,退火时间为5min~10min;
s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属,形成欧姆接触,所述Ti/Al/Ni/Au四层金属厚度分别为20~25nm、120~130nm、20~50nm、100~150nm。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,步骤s21包括:对氮极性面使用丙酮清洗3~5min,再使用异丙醇清洗3~5min,最后用去离子水冲洗并用氮气吹干,之后进行表面处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





