[发明专利]基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器

权利要求书

1.基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器，包括：基底1、铌酸锂薄膜2、光学波导3、缓冲层4、以及金属电极5，其特征在于，所述基底1采用石英晶片；所述铌酸锂薄膜2具有单晶结构且厚度为4至10微米；所述光学波导3采用钛扩散波导或退火质子交换波导；所述缓冲层4采用氧化硅或氧化铝薄膜；所述金属电极5采用行波电极结构。

2.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，其特征在于：采用具有低介电常数的石英材料作为所述基底1晶片。

3.根据权利要求所述的基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，其特征在于：采用键合工艺将基底1与铌酸锂单晶体材料晶片键合，并采用研磨、抛光的工艺制备得到具有单晶结构且厚度为4至10微米的铌酸锂薄膜2。

4.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，其特征在于：所述铌酸锂薄膜的厚度在4至10微米，可以有效地提高铌酸锂电光调制器的折射率匹配与特征阻抗匹配，从而提高铌酸锂电光调制器的工作宽带。

5.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，其特征在于：所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导。

6.根据权利要求1所述的基于铌酸锂薄膜的宽带行波电光调制器，其特征在于：所述金属电极采用行波电极结构，金属电极的火线与地线对称地位于光学波导两侧。