[发明专利]反应腔室在审
申请号: | 201610239112.1 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN107305853A | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 常大磊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 | ||
1.一种反应腔室,包括基座、基座升降机构、机械压环和支撑件,其中,所述基座用于承载晶片;所述基座升降机构用于驱动所述基座上升至工艺位置或者下降至装卸位置;所述机械压环用于在所述基座位于所述工艺位置时将所述晶片固定在所述基座上;所述支撑件用于在所述基座离开所述工艺位置时支撑所述机械压环;其特征在于,所述机械压环包括由上而下依次设置的遮挡环、压环和定位环,其中,
所述压环用于在所述基座位于所述工艺位置时,压住所述晶片上表面的边缘区域;
所述定位环与所述支撑件相互配合,以使二者的位置相对固定;
所述遮挡环用于遮挡所述压环和所述定位环暴露在所述反应腔室中的表面。
2.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述定位环采用金属材料制作,用以作为所述压环的配重,增大所述压环的重量。
3.根据权利要求2所述的反应腔室,其特征在于,所述金属材料包括不锈钢。
4.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述压环采用金属材料制作。
5.根据权利要求4所述的反应腔室,其特征在于,在所述压环暴露在所述反应腔室中的表面喷涂有绝缘材料;或者,
在所述压环暴露在所述反应腔室中的表面进行阳极氧化处理。
6.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述遮挡环采用绝缘材料制作;或者,
所述遮挡环采用金属材料制作,且在所述遮挡环的外表面喷涂绝缘材料或者进行阳极氧化处理。
7.根据权利要求1所述的反应腔室,其特征在于,所述压环与所述定位环利用螺钉固定连接。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述支撑件包括至少三个支撑柱,且环绕设置在所述基座的周围;
在所述定位环的底部,且与各个支撑柱一一对应地位置处设置有定位孔,所述定位孔在所述基座离开所述工艺位置时,与所述支撑柱相配合。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室还包括衬环,用于保护所述反应腔室的内壁不被等离子体刻蚀;所述衬环的下端具有环形支撑部,所述环形支撑部用作所述支撑件;
在所述定位环的底部,且与所述环形支撑部相对应的位置处设置有环形凹槽,所述环形凹槽在所述基座离开所述工艺位置时,与所述环形支撑部相配合。
10.根据权利要求1-7任意一项所述的反应腔室,其特征在于,所述反应腔室用于预清洗腔室、物理气相沉积腔室或者等离子体刻蚀腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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