[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成隔离结构，所述隔离结构的材料为富含硅的氧化硅；

在邻近所述衬底的隔离结构表面形成覆盖层，所述覆盖层的材料为氧化硅，且所述覆盖层中氧原子的含量大于隔离结构中氧原子的含量，所述覆盖层对氧原子的吸收能力小于所述隔离结构对氧原子的吸收能力，所述覆盖层的厚度为30埃～50埃；

在形成所述覆盖层之后，在所述衬底表面形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述吸收能力包括：对氧原子的吸收量和对氧原子的吸收速率。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离结构表面初始覆盖层的厚度大于衬底表面的初始覆盖层厚度；

形成所述覆盖层的步骤包括：

在所述隔离结构和衬底表面形成初始覆盖层；

去除所述衬底表面的初始覆盖层，保留所述隔离结构表面部分厚度的初始覆盖层，形成覆盖层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层的工艺包括热氧化工艺；

通过热氧化工艺形成所述覆盖层的反应气体包括：氧气或氧气与氢气的组合。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤中，氧气流量与硅烷流量的比值为第一比值；

通过化学气相沉积工艺形成所述覆盖层；

通过化学气相沉积工艺形成所述覆盖层的工艺参数包括：反应气体包括：

氧气和硅烷；氧气流量与硅烷流量的比值大于所述第一比值。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述覆盖层的步骤中，氧气流量与硅烷流量的比值大于1.6。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底中的隔离结构，所述隔离结构的材料为富含硅的氧化硅；

位于邻近所述衬底的隔离结构表面的覆盖层，所述覆盖层的材料为氧化硅，且所述覆盖层中氧原子的含量大于隔离结构中氧原子的含量，所述覆盖层对氧原子的吸收能力小于隔离结构对氧原子的吸收能力，所述覆盖层的厚度为30埃～50埃；

位于所述衬底表面的栅极结构。