[发明专利]制备大面积单层二硫化钨和二硫化钼结构的分步气相方法在审
| 申请号： | 201610236461.8 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105887015A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 魏威;陈鑫;张克难;张天宁;戴宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C16/40;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 单层 硫化 二硫化钼 结构 分步 方法 | ||
【说明书】：
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