[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201610235196.1 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN105679868A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 董友强 | 申请(专利权)人: | 董友强 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/056 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 528100 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池,属于硅基薄膜太阳能电池 生产技术领域。
背景技术
硅基薄膜太阳能电池由于其技术成熟、环境友好、制备成本低、 可制备于柔性衬底上、可制备透光型电池等诸多优点而被广泛地进行 批量生产并应用于地面太阳能电站以及光伏幕墙、屋顶电站等光伏建 筑一体化(BIPV)等。对于高效率硅基薄膜太阳能电池来说,尽量多 地吸收入射光可以产生高的光生电流,陷光技术是最重要、最有效的 光管理技术,可以使硅基薄膜太阳能电池有效地吸收入射光。在硅基 薄膜太阳能电池结构的背透明电极上沉积一层背二氧化钛(TiO2)薄 膜同样可以有效地对入射光进行反射从而有效地增加光电流,提高电 池的转换效率。电池的效率和制备成本存在着一定平衡,对于如上所 述的具有反射特性的二氧化钛薄膜,它们的沉积工艺主要都是在制备 好的硅基薄膜太阳能电池上进行,其沉积工艺在一定程度上决定硅基 薄膜太阳能电池的膜层材料的特性和电池效率。此外,连续沉积工艺 也影响着生产节拍和产能,在一定程度上增加了电池的制备成本,从 而制约着硅基薄膜太阳能电池的发展和企业的竞争实力。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太 阳能电池,使得高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基薄膜电池 的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封装,这样将有 效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、降低电池的制备 成本,解决背景技术存在的上述问题。
本发明的技术方案是:一种新型二氧化钛背反射结构硅基薄膜太 阳能电池,包含二氧化钛背反射薄膜、封装背板、硅基薄膜电池、透 明前基板和封装材料;封装背板上二氧化钛背反射薄膜的制备与硅基 薄膜电池的制备同步独立进行,然后,将封装背板与硅基薄膜电池的 透明前基板通过封装材料采用层压工艺进行封装,,所述封装背板从 中心向外依次包括基层、外层以及含氟涂层,所述外层表面经过等离 子处理,所述外层为BMC层或SMC层,所述基层为PET蜂窝层,所 述PET蜂窝层是由上、下面板中间夹一比较厚的软夹芯所构成,所述 含氟涂层的表面经过等离子处理。
所述的二氧化钛背反射薄膜至少包含一层二氧化钛薄膜,制备在 封装背板上,背反射薄膜的膜厚控制在100纳米到500微米之间。
所述的基层材料为玻璃、或者不锈钢、或者有机聚合物材料。
所述的硅基薄膜电池为硅基薄膜太阳能电池,包括所有硅材料和 硅基合金材料的单结和多结叠层结构的薄膜太阳能电池。
所述的透明前基板为玻璃或者聚酯膜。
所述的封装材料为在可见光区平均光透过率大于10%的有机聚 合物材料。
本发明的积极效果:将高反射的二氧化钛背反射薄膜的制备与硅 基薄膜电池的制备同步独立进行,然后通过层压工艺将两者进行封 装,这样将有效地提高电池效率,同时提高了节拍、增加了产能、简 化了电池制备工艺,降低电池的制备成本,并可广泛用于实际的批量 工业生产中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面 将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而 易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于 本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根 据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例结构示意图;图2是本发明背板的结构示意 图。
图中:透明前基板1、硅基薄膜电池2、封装材料3、二氧化钛 背反射薄膜4、封装背板5。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面 将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例, 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员 在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于 本发明保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于董友强,未经董友强许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610235196.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法
- 下一篇:一种适用于LED灯管的灯头
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的