[发明专利]一种放射性碘活性炭取样滤盒的探测效率校准方法

权利要求书

1.一种放射性碘活性炭取样滤盒的探测效率校准方法，其特征在于：

所述方法包括如下步骤：

步骤一，用标准面源测得探测器对取样滤盒中不同深度处面源的探测效率；

步骤二，拟合出取样滤盒正向和反向放置时的探测效率曲线；

步骤三，根据所述探测效率曲线，画出分布参数和探测效率随正反向全能峰计数比变化的曲线；

步骤四，由测量得到的正反向全能峰计数比，查找所述曲线中对应的点，获得分布参数和探测效率；

所述正反向全能峰计数比为实验测得取样滤盒正向和反向放置时未修正的探测器全能峰计数的比值；

所述分布参数和探测效率分别为碘在取样滤盒中指数递减分布的分布参数和NaI(Tl)探测器测量取样滤盒中碘的探测效率。

2.如权利要求1所述的放射性碘活性炭取样滤盒的探测效率校准方法，其特征在于：

所述标准面源为多γ核素混合源，且能覆盖I-131发射的365keVγ射线能量。

3.如权利要求1所述的放射性碘活性炭取样滤盒的探测效率校准方法，其特征在于：

所述步骤一的具体方法包括如下步骤：

(1)设定取样滤盒深度为20mm，将一系列未使用的取样滤盒切割成两块，从取样滤盒的入口角度看，深度方向切割面的位置坐标分别为0mm、2mm、4mm、…、20mm，相邻两个位置的坐标相差2mm；

(2)将标准面源放置在切割面处，合上两个切割体，分别正向和反向将取样滤盒放置在实际测量中的位置上，校准不同深度截面层的面源探测效率；

(3)用三次样条插值法求得探测器对365keVγ射线的探测效率。

4.如权利要求1所述的放射性碘活性炭取样滤盒的探测效率校准方法，其特征在于：

所述步骤二的拟合方法如下：

取样滤盒正向放置时，探测效率曲线为：

η₁(x)＝ax²+bx+c

取样滤盒反向放置时，探测效率曲线为：

η₂(x)＝dx²+ex+f

上述两式中，a、b、c、d、e、f为拟合系数；x为取样滤盒的截面层与入口端面的距离，取值范围为：0xL，L为取样滤盒的总深度。