[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：

基底；

至少一个传输晶体管，每个所述传输晶体管包括：

传输栅极结构，位于基底上；

第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸；

当所述SRAM存储器处于读数据状态时，第一传输源漏区为传输晶体管的漏区，第二传输源漏区为传输晶体管的源区；

当所述SRAM存储器处于写数据状态时，第一传输源漏区为传输晶体管的源区，第二传输源漏区为传输晶体管的漏区。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述基底包括第一区域和第二区域；所述传输晶体管包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；

所述第一传输晶体管包括：

第一传输栅极结构，位于第一区域的基底上；

第一子传输源漏区和第二子传输源漏区，分别位于所述第一传输栅极结构两侧的基底中，部分第一子传输源漏区和部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构遮盖，第一传输栅极结构遮盖的第一子传输源漏区为第一子遮盖区，第一传输栅极结构遮盖的第二子传输源漏区为第二子遮盖区，在垂直于第一传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二子遮盖区的尺寸大于所述第一子遮盖区的尺寸；

所述第二传输晶体管包括：

第二传输栅极结构，位于第二区域的基底上；

第三子传输源漏区和第四子传输源漏区，分别位于所述第二传输栅极结构两侧的基底中，部分第三子传输源漏区和部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构遮盖，第二传输栅极结构遮盖的第三子传输源漏区为第三子遮盖区，第二传输栅极结构遮盖的第四子传输源漏区为第四子遮盖区，在垂直于第二传输栅极结构侧壁的方向上，所述第四子遮盖区的尺寸大于所述第三子遮盖区的尺寸。

3.根据权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管为N型。

4.根据权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一传输晶体管还包括：

第一子传输侧墙，位于第一传输栅极结构一侧侧壁，部分第一子传输源漏区被第一传输栅极结构和第一子传输侧墙遮盖；

第二子传输侧墙，位于第一传输栅极结构另一侧侧壁，部分第二子传输源漏区被第一传输栅极结构和第二子传输侧墙遮盖，所述第二子传输侧墙的厚度小于第一子传输侧墙的厚度；

所述第二传输晶体管还包括：

第三子传输侧墙，位于第二传输栅极结构一侧侧壁，部分第三子传输源漏区被第二传输栅极结构和第三子传输侧墙遮盖；

第四子传输侧墙，位于第二传输栅极结构另一侧侧壁，部分第四子传输源漏区被第二传输栅极结构和第四子传输侧墙遮盖，所述第四子传输侧墙的厚度小于第三子传输侧墙的厚度。

5.根据权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，

所述SRAM存储器还包括：

锁存器，所述锁存器包括上拉晶体管和下拉晶体管；

在写数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将数据通过传输栅极结构存储到锁存器中，在读数据状态时，所述上拉晶体管和下拉晶体管将锁存器中存储的数据通过传输栅极结构输出。