[发明专利]一种电流扩展层的生长方法及含此结构的LED外延结构

权利要求书

1.一种电流扩展层的生长方法，其特征在于，包括周期性生长4-10个单件，所述单件由下至上依次包括P型InGaN层和Si_xAl_(1-x)N层或者Si_xAl_(1-x)N和P型InGaN层：

所述P型InGaN层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为500-750mbar、温度为950-1000℃，通入流量为50000-55000sccm的NH₃、50-70sccm的TMGa、90-110L/min的H₂、1200-1400sccm的TMIn以及900-1000sccm的Cp₂Mg，生长厚度为4-7nm的P型InGaN层，其中：In的掺杂浓度为3E19-4E19atom/cm³，Mg的掺杂浓度为1E19-1E20atom/cm³；

所述Si_xAl_(1-x)N层的生长步骤具体是：保持反应腔压力为500-750mbar、温度为950-1000℃，通入流量为50000-55000sccm的NH₃、90-110L/min的H₂、100-200sccm的TMAl、20-30sccm的SiH₄生长厚度为10-20nm的Si_xAl_(1-x)N层，其中：x＝0.20-0.25，Si的掺杂浓度为1E18-5E18atom/cm³。

2.根据权利要求1所述的电流扩展层的生长方法，其特征在于，所述电流扩展层的生长之前还包括：

步骤S1、在1000-1100℃的氢气气氛下，通入100-130L/min的H₂，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底(1)5-10分钟；

步骤S2、降温至500-600℃，保持反应腔压力为300-600mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH₃、50-100sccm的TMGa以及100-130L/min的H₂，在蓝宝石衬底(1)上生长厚度为20-40nm的低温缓冲层(2)；

步骤S3、升高温度至1000-1100℃，保持反应腔压力为300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH₃以及100-130L/min的H₂，将低温缓冲层腐蚀成不规则小岛；

步骤S4、升高温度至1000-1200℃，保持反应腔压力为300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa以及100-130L/min的H₂，持续生长厚度为2-4μm的不掺杂GaN层(3)；

步骤S5、保持反应腔压力和温度不变，通入流量为30000-60000sccm的NH₃、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H₂以及20-50sccm的SiH₄，持续生长厚度为3-4μm的掺杂Si的N型GaN单层(4’)，其中：Si的掺杂浓度为5E18-1E19atom/cm³。