[发明专利]一种利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法

权利要求书

1.一种利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于步骤如下：

步骤一，将锆粉颗粒置于气相原子层沉积系统反应腔内，密封反应腔，向气相原子层沉积系统内通入惰性载气并抽真空，腔内压力控制在133Pa～1000Pa范围内，温度处于35℃～400℃范围内；

步骤二，对锆粉颗粒进行原子层沉积形成包覆层，所述的包覆层为有机高分子或有机高分子高温退火得到的纳米碳膜包覆层；原子层沉积生长的一个周期包括以下四个环节：(1)向反应腔内注入过量的第一种反应前躯体；(2)通入惰性载气；(3)向反应腔内注入过量的第二种反应前躯体；(4)通入惰性载气；按照上述环节(1)至环节(4)的顺序，反应前驱体脉冲顺序以t1-t2-t3-t4表示，其中：t1为第一种反应前驱体的注入时间，t3为第二种反应前驱体的注入时间，t2和t4均为惰性载气的清洗时间；所述的第一种反应前驱体为己二酰氯、对苯二甲酰氯、均苯四甲酸二酐、对苯二甲醛、对苯二异氰酸酯或1,4丁二异氰酸酯；所述的第二种反应前驱体为乙二胺、1，6-己二胺、对苯二胺、4，4’-二氨基二苯醚、4-氨基苯酚、乙二醇胺、乙二醇、丙三醇或1,4苯二醇；

步骤三，重复执行相应周期数的步骤二，在锆粉颗粒上进行原子层沉积，使得包覆层含量为包覆后的锆粉颗粒总重量的0.1％～7.5％范围内。

2.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的锆粉的粒径为纳米级、微米级或毫米级。

3.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的惰性载气为氮气、氦气或氩气。

4.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的原子层沉积生长周期时间为1-10000s，原子层沉积周期数为1-5000。

5.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的高温退火条件为：所用载气为Ar、N₂或He惰性气体，或其中一种与H₂的混合气；载气流量50～500mL/min；程序升温速率5～30℃/min，退火温度500～900℃，退火时间1～10h；退火结束，通载气条件下自然降到室温。

6.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的纳米碳膜包覆层的厚度为原子层沉积制备有机高分子包覆层厚度的20％～70％。

7.如权利要求1所述的利用原子层沉积包覆层降低锆粉静电火花感度的方法，其特征在于，所述的纳米碳膜含量为包覆后的锆粉颗粒总重量的0.1％～5％范围内。