[发明专利]四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和其用途有效
| 申请号： | 201610227756.9 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105803531B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;贾郁;刘畅;郑雪绒;吕达;赵震霆 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 四元硒化物 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1. 一种四元硒化物非线性光学晶体，其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属原子Rb, Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga, In中的一种，所述的四元硒化物非线性光学晶体属于三方晶系，R3空间群，该晶体具有非线性光学性能；所述的四元硒化物非线性光学晶体中：RbGaSn2Se6 、RbInSn2Se6 、CsGaSn2Se6 和CsInSn2Se6的能隙分别为1.77 eV、1.70 eV、1.87 eV和1.82 eV，属于半导体能隙范围。
2.一种如权利要求1所述的四元硒化物非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：以RbCl或CsCl，Ga或In，Sn，Se为原料，按照1.0-1.5：0.5-1.0：0.4-0.8：1.8-2.3的摩尔比放置于石英管里，抽真空，然后用氢氧焰封管，置于马弗炉中，缓慢升温至850℃，保温3-5天，再以一定速率缓慢降温至室温，获得块状四元硒化物非线性光学晶体。
3.一种如权利要求1所述的四元硒化物非线性光学晶体在制备红外波段激光变频晶体器件、远程传感器件或红外激光制导器件中的用途。
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