[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，包括：

一底氧化层；

一第一导体层，位于该底氧化层上；

一第一绝缘凹槽，穿过该第一导体层且位于该底氧化层上，该第一绝缘凹槽具有一第一宽度；

多个绝缘层，位于该第一导体层上；

多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；

一第二绝缘凹槽，穿过这些绝缘层和这些第二导体层且位于该第一绝缘凹槽上，该第二绝缘凹槽具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度；

一通道层，位于该第二绝缘凹槽的至少一侧壁上；以及

一存储层，位于该通道层与这些第二导体层之间；

其中该通道层具有一垂直延伸段和一水平延伸段，该水平延伸段位于这些第二导体层之上，该存储器结构更包括：一硬掩模层，位于该通道层上，其中该硬掩模层具有一延伸段，该延伸段位于该通道层的该水平延伸段上，且该硬掩模层的该延伸段的延伸长度大于该通道层的该水平延伸段的延伸长度。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该通道层更位于该第二绝缘凹槽的一底面上，该第一导体层和这些第二导体层分别包括多晶硅或钨。

3.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该第一导体层具有一厚度为1500～4000埃，该第一绝缘凹槽的该第一宽度为15～30纳米，该第二绝缘凹槽的该第二宽度为70～120纳米。

4.根据权利要求1所述的存储器结构，该存储器结构更包括：

一低温氧化物层，位于该硬掩模层上，且完全覆盖该硬掩模层的该延伸段。

5.根据权利要求1所述的存储器结构，更包括：

一贯穿开口，穿过这些绝缘层、这些第二导体层和该第一导体层，且位于该底氧化层上；以及

一顶氧化层，位于这些绝缘层和这些第二导体层上。

6.一种存储器结构的制造方法，包括：

形成一底氧化层；

形成一第一导体层于该底氧化层上；

形成一第一绝缘凹槽，该第一绝缘凹槽穿过该第一导体层且位于该底氧化层上，该第一绝缘凹槽具有一第一宽度；

形成多个绝缘层于该第一导体层上；

形成多个第二导体层，这些第二导体层与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；

形成一第二绝缘凹槽，该第二绝缘凹槽穿过这些绝缘层和这些第二导体层且位于该第一绝缘凹槽上，该第二绝缘凹槽具有一第二宽度，该第二宽度大于该第一宽度；

形成一通道层于该第二绝缘凹槽的至少一侧壁上；以及

形成一存储层于该通道层与这些第二导体层之间；

其中该通道层具有一垂直延伸段和一水平延伸段，该水平延伸段位于这些第二导体层之上，该存储器结构的制造方法更包括：形成一硬掩模层于该通道层上，其中该硬掩模层具有一延伸段，该延伸段位于该通道层的该水平延伸段上，且该硬掩模层的该延伸段的延伸长度大于该通道层的该水平延伸段的延伸长度。

7.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该通道层更位于该第二绝缘凹槽的一底面上，该第一导体层和这些第二导体层分别包括多晶硅或钨。

8.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该第一导体层具有一厚度为1500～4000埃，该第一绝缘凹槽的该第一宽度为15～30纳米，该第二绝缘凹槽的该第二宽度为70～120纳米。

9.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，该存储器结构的制造方法更包括：

形成一低温氧化物层于该硬掩模层上，且完全覆盖该硬掩模层的该延伸段。

10.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，更包括：

形成一贯穿开口，该贯穿开口穿过这些绝缘层、这些第二导体层和该第一导体层，且位于该底氧化层上；以及

形成一顶氧化层于这些绝缘层和这些第二导体层上。