[发明专利]一种位置辅助芯片晶圆映射方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电芯片晶圆映射方法。

背景技术

光电类芯片，特别是其中“边发射”类芯片，例如激光二极管(LD)，有相当一些重要的属性参数是不能直接在晶圆上完成测量的。传统的做法是把晶圆(Wafer)切割成芭条(Bar)，或者进一步切分成芯片(Chip)，再检测其物理属性。

传统的芯片在制程上，是不标注来区分的，如果把切开的芭条和芯片无序随机测量的话，自然无从建立物理属性晶圆映射(Wafer Mapping)的模式。

随着光电芯片，特别是边发射类芯片，对制程工艺检测要求的提高，特别是其内在对芯片良率提升的驱动，使得光电芯片的晶圆映射的功能需求逐渐提上制程检测的日程。

在传统集成电路(IC)芯片制程中，晶圆映射是一个很重要的步骤，用于找出制程的与空间分布相关的缺陷，从而改进工艺，提高良率。一种通行的做法是对每个芯片进行物理标记，如此在晶圆被切割后，依然可以凭借这些物理标记来重构晶圆映射。

然而，在芯片上做标记，不仅需要增加制作成本，而且这些标记对芯片的功能区可能有影响而额外降低芯片的良率。并且在检测过程中，也需要增加能识别这些标记的光学组件，增加了机台成本，间接降低了检测的流率(Throughtput)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种位置辅助芯片晶圆映射方法，以免除物理标记所带来的制程和检测环节的成本。

为此，根据本发明的一方面，提供了一种位置辅助芯片晶圆映射方法，包括以下步骤：利用移动台把待测元件移动到提取位置，并记录移动台的位置移动量的步骤；将被提取的待测元件和对应的移动台位置移动量或者由移动台位置移动量标定的坐标一起在测量环节中流转的步骤；以及利用各待测元件的结构参数、对应的移动台位置移动量或坐标、以及在测量环节中获得的测量参数来重构测量参数的晶圆映射的步骤。

进一步地，上述坐标的标定方法包括以下步骤：标定移动台上的晶圆的源点的步骤；将源点移动至提取位置并且记录移动台的位置移动量以作为坐标原点参照的步骤。

进一步地，上述标定移动台上的晶圆的源点的步骤包括利用位置标定器件来标定移动台上的晶圆的源点。

进一步地，在利用位置标定器件来标定晶圆的源点的步骤之前，还包括将晶圆加载在移动台上并进行位置校准的步骤。

进一步地，上述移动台为二维坐标移动台或极限坐标移动台。

进一步地，上述芯片晶圆为光电芯片晶圆、微机电系统芯片晶圆或探针卡芯片晶圆，光电芯片晶圆优选为边发射类光电芯片晶圆。

进一步地，上述待测元件为一个光电芯片和/或由两个以上的光电芯片构成的芭条。

进一步地，上述移动台包括用于对各待测元件对应的位置移动量进行记录的第一记录单元，测量环节包括用于对各待测元件的结构参数、测量参数和位置移动量或坐标一起进行记录的第二记录单元，第二记录单元提供的数据用于重构测量参数的晶圆映射。

进一步地，上述坐标为行列坐标。

根据本发明的另一方面，提供了一种位置辅助芯片晶圆映射方法，包括以下步骤：利用提取装置移动至晶圆的待测元件上，并记载提取装置的位置移动量的步骤；将被提取的待测元件与对应的提取装置的位置移动量或者由位置移动量标定的坐标一起在测量环节中流转的步骤；以及利用各待测元件的结构参数、对应的提取装置位置移动量或坐标、以及在测量环节中获得的测量参数来重构测量参数的晶圆映射的步骤。

进一步地，上述坐标的标定方法包括以下步骤：标定晶圆的源点的步骤；将提取装置移动至源点并记载提取装置的位置移动量以作为坐标原点参照的步骤。

进一步地，上述标定晶圆的源点的步骤包括利用位置标定器件来标定晶圆的源点。该位置标定器件为光学图样识别系统。

进一步地，上述光电芯片晶圆为激光二极管芯片晶圆。

进一步地，上述待测元件为光电芯片和/或由多个光电芯片构成的芭条。

进一步地，上述提取装置包括对各待测元件的提取所对应的位置移动量进行记录的第三记录单元，测量环节包括对各待测元件的测量参数和位置移动量或坐标一起记录的第四记录单元，待测单元的测量参数的晶圆映射由第四记录单元提供的数据用于重构测量参数的晶圆映射。