[发明专利]一种真空灭弧室及其制造方法

权利要求书

1.一种真空灭弧室，其特征在于，真空灭弧室的导电回路表面覆着有石墨烯层。

2.如权利要求1所述的真空灭弧室，其特征在于，所述导电回路包括电连接的静导电杆和动导电杆。

3.如权利要求1或2所述的真空灭弧室，其特征在于，石墨烯层的厚度为1μm～500μm。

4.一种如权利要求1所述的真空灭弧室的制造方法，其特征在于，在导电回路的各部件表面制备石墨烯层，组装成真空灭弧室，即可。

5.如权利要求4所述的真空灭弧室的制造方法，其特征在于，采用喷涂、刷涂或浸涂的方法制备石墨烯层。

6.如权利要求5所述的真空灭弧室的制造方法，其特征在于，喷涂、刷涂或浸涂所用的石墨烯浆料的质量百分比组成为：溶剂70％～95％，石墨烯4.5％～27％，分散剂0.5％～3％。

7.如权利要求6所述的真空灭弧室的制造方法，其特征在于，溶剂为水、乙醇或丙酮，分散剂为二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。