[发明专利]印刷线路、薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号: | 201610220055.2 | 申请日: | 2016-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN107293591B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
| 发明(设计)人: | 何羽轩 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/06;H01L23/485;H01L21/60;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 印刷 线路 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种印刷线路,配置于基板上,其特征在于,所述印刷线路包括:
多个金属纳米结构;以及
金属氧化物层,配置于所述金属纳米结构的表面上且填满所述金属纳米结构的交会处的间隙,
其中配置于所述金属纳米结构的表面上的所述金属氧化物层的厚度介于0.1纳米至10纳米,所述金属氧化物层的材料包括二氧化钛、氧化锌或氧化钨。
2.根据权利要求1所述的印刷线路,其特征在于,所述金属纳米结构包括金属纳米线、金属纳米粒子或其组合。
3.根据权利要求1所述的印刷线路,其特征在于,所述金属纳米结构的材料包括金、银或铜。
4.一种印刷线路的制造方法,其特征在于,包括:
进行第一印刷制程,以于基板上形成金属层,其中所述金属层包括多个金属纳米结构;
进行第二印刷制程,以于所述金属层上形成金属氧化物前驱物层,且所述金属氧化物前驱物层覆盖所述金属层,其中所述金属氧化物前驱物层包括金属氧化物前驱物及溶剂;以及
进行加热制程,以去除所述金属氧化物前驱物层中的溶剂以及使所述金属氧化物前驱物层中的金属氧化物前驱物还原成金属氧化物,以于所述金属纳米结构的表面上形成金属氧化物层,且所述金属氧化物层填满所述金属纳米结构的交会处的间隙,
其中形成于所述金属纳米结构的表面上的所述金属氧化物层的厚度介于0.1纳米至10纳米,所述金属氧化物前驱物的材料包括二氧化钛前驱物、氧化锌前驱物或氧化钨前驱物。
5.根据权利要求4所述的印刷线路的制造方法,其特征在于,所述金属纳米结构包括金属纳米线、金属纳米粒子或其组合。
6.根据权利要求4所述的印刷线路的制造方法,其特征在于,所述金属纳米结构的材料包括金、银或铜。
7.根据权利要求4所述的印刷线路的制造方法,其特征在于,所述溶剂包括水。
8.根据权利要求4所述的印刷线路的制造方法,其特征在于,进行所述加热制程的温度介于50℃至200℃。
9.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:
源极与漏极,配置于基板上;
主动层,覆盖所述源极与所述漏极且填入所述源极与所述漏极之间的间隙;
介电层,覆盖所述主动层;以及
栅极,配置于所述介电层上,
其中所述源极与所述漏极包括多个金属纳米结构以及金属氧化物层,所述金属氧化物层配置于所述金属纳米结构的表面上且填满所述金属纳米结构的交会处的间隙,以及配置于所述金属纳米结构的表面上的所述金属氧化物层的厚度为0.1纳米至10纳米,所述金属氧化物层的材料包括二氧化钛、氧化锌或氧化钨。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述金属纳米结构包括金属纳米线、金属纳米粒子或其组合。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述金属纳米结构的材料包括金、银或铜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610220055.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





