[发明专利]一种高纯度去羟肌苷杂质的制备方法

权利要求书

1.一种去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)以2-乙酰氧基异丁酰氯和肌苷为起始原料，在溴化锂催化下在溶剂中进行溴代反应和酰化反应；

其中，步骤1)的操作步骤为：在溶剂中加入无水溴化锂升温，待无水溴化锂溶解；然后再加入2-乙酰氧基异丁酰氯进行反应；所得反应液降温后再加入肌苷进行反应；所述升温为升至70-75℃，所述降温为降至10℃以下；

步骤1)中无水溴化锂、2-乙酰氧基异丁酰氯和肌苷的质量比为30-40:50-60:25-35；

2)步骤1)所得反应液浓缩除去溶剂后溶于极性溶剂中直接用于下一步；

3)低温条件下向其中加入碱性试剂，调pH至强碱条件下进行反应，过滤即得2’，3’-脱水肌苷；

其中，步骤2)中对反应液浓缩去除溶剂之前，还包括将步骤1)所得反应液中和至中性环境的步骤；

步骤2)中除去溶剂后、溶于极性溶剂前还包括除杂的步骤，所述除杂的步骤为：将中间产物加入二氯甲烷和水的混合物中，搅拌，静止分层，取二氯甲烷层并将二氯甲烷蒸干；

步骤3)中所述低温条件为0-10℃，所述强碱条件为pH＝10-14。

2.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤1)中无水溴化锂、2-乙酰氧基异丁酰氯和肌苷的质量比为37.5:55:30。

3.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤1)中加入2-乙酰氧基异丁酰氯后反应0.5-2h；步骤1)中再加入肌苷后反应3-6h。

4.根据权利要求3所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤1)中加入2-乙酰氧基异丁酰氯后反应为1h；步骤1)中再加入肌苷后反应为4h。

5.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述溶剂为乙腈，步骤1)中每使用1g肌苷对应使用5-15g乙腈。

6.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述极性溶剂为甲醇或乙醇。

7.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述低温条件为5-10℃；步骤3)中所述反应所需时间为8-16h。

8.根据权利要求7所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述反应所需时间为12h。

9.根据权利要求1所述的去羟肌苷杂质2’，3’-脱水肌苷的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述碱性试剂为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、甲胺及其相应水溶液。