[发明专利]一种电平移位电路

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种电平移位电路。

背景技术

电平位移电路在驱动电路中作用是实现不同电平之间的转换，控制信号从一种电平经过电平位移电路转换成另一种电平控制信号。电平位移电路在驱动电路中是一种重要的电路。目前已经报道的电平位移电路，在电路结构成本、功耗、稳定性、速度等方面还不能很好的兼顾，譬如初态紊乱、速度慢、功耗大等问题。如何设计出满足高稳态、快速的电平位移电路对于优化整体驱动电路有着重要的作用。目前典型的电平位移电路如图1所示。基本工作原理为：Vin输入为一种电平逻辑信号，通过INV反相器在MN1，MN2管的栅极信号构成相位相反的互补逻辑电平，控制MN1，MN2管的开关，结合MP1和MP2构成的锁存结构，将输出电压Vout1，Vout2分别输出对应的高低电平，将信号电平从INV的电源转换为GND和VDD范围内信号，实现电平位移的功能。图中虚线框中电阻R，电容C是为了使电路有确定的初态而采取的方法，电阻和电容采用其中任一个均能达到效果，但是这样方法会对电平位移电路的功耗产生较大影响；同时，该电路在输入电平跳转的时候，由于电阻或者电容的影响，导致电路响应速度较慢。

发明内容

本发明的目的是为了解决典型的电平位移电路存在的上述问题，提出了新的电路结构，提高了电平位移电路的性能。

本发明的技术方案为：一种电平移位电路，包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第一电流源、第二电流源和反相器；其中，

第一PMOS管MP1的源极接电源，其栅极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极；

第二PMOS管MP2的源极接电源，其栅极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极；

第三PMOS管MP3的源极接电源，其栅极接第四PMOS管MP4的漏极；

第四PMOS管MP4的源极接电源，其栅极与漏极互连；

第五PMOS管MP5的源极接电源，其栅极接第六PMOS管MP6的漏极；

第六PMOS管MP6的源极接电源，其栅极与漏极互连；

第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极，第一NMOS管MN1的栅极接外部输入信号，第一NMOS管MN1的源极接地；

第二NMOS管MN2的漏极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极，第二NMOS管MN2的栅极接反相器的输出端；第二NMOS管MN2的源极接地；

反相器的输入端接外部输入信号；

第三NMOS管MN3的漏极接第六NMOS管MN6的源极，第三NMOS管MN3的栅极接反相器的输出端，第三NMOS管MN3的源极接地；

第四NMOS管MN4的漏极接第五NMOS管MN5的源极，第四NMOS管MN4的栅极接外部输入信号，第四NMOS管MN4的源极接地；

第五NMOS管MN5的漏极接第六PMOS管MP6的漏极，第五NMOS管MN5的栅极接第一PMOS管MP1的漏极和第三PMOS管MP3的漏极；

第六NMOS管MN6的漏极接第四PMOS管MP4的漏极，第六NMOS管MN6的栅极接第二PMOS管MP2的漏极和第五PMOS管MP5的漏极；

第一电流源的一端接第一NMOS管MN1的漏极，第一电流源的另一端接地；

第二电流源的一端接第四NMOS管MN4的漏极，第二电流源的另一端接地；

第二PMOS管MP2漏极与第五PMOS管MP5漏极的连接点为电平移位电路的第一输出端，第一PMOS管MP1漏极与第三PMOS管MP3漏极的连接点为电平以为电路的第二输出端。

本发明的有益效果为，本发明的电平位移电路与目前典型的电平位移电路相比具有稳定性高、速度快的特点。

附图说明

图1为传统的电平位移电路图；

图2为本文提出的高稳态快速电平位移电路图；

图3为本文提出的高稳态快速电平位移电路输入电平0跳变为1时的第一阶段示意图；

图4为本文提出的高稳态快速电平位移电路输入电平0跳变为1时的第二阶段示意图；