[发明专利]同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线

说明书

技术领域

本发明涉及一种槽缝天线，尤其是一种同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线。

背景技术

槽缝天线是振子天线的对偶天线，有着广泛的应用。但是，普通的槽缝天线不仅辐射槽缝本身的长度要有二分之一波长，而且辐射槽缝周围还需要较大的金属地面积，通常金属地的长度比槽缝的长度大二分之一波长，金属地的宽度比槽缝的宽度大二分之一波长。多极化MIMO可以有效的提高频谱效率和信道容量，为了将MIMO技术可以应用到体积小的终端，需要把不同极化的天线共址放置。较大的金属地会对天线的辐射产生遮挡效应，使得槽缝天线不适合共址多输入多输出(MIMO)应用，特别是用作多极化天线使用时，大的金属地将导致天线的交叉极化变差、天线端口之间的隔离变差，这些都将导致频谱效率和信道容量的下降。同时槽缝的阻抗很大，还使得槽缝天线馈电传输线的阻抗匹配比较困难。

发明内容

技术问题:本发明的目的是提出一种同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线，该天线可以减小辐射槽缝的长度和金属地的面积，而且具有抑制交叉极化、改善隔离、减小遮挡的作用。

技术方案：本发明的同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线包括三个相互垂直放置的单极化的电容加载天线；每个单极化的电容加载天线包括介质基板、设置在介质基板上的金属地和辐射槽缝、同轴馈线；介质基板的一面是金属地，同轴馈线的外导体与金属地相贴连接；金属地上有辐射槽缝，辐射槽缝的形状是矩形，辐射槽缝位于金属地的中心；辐射槽缝的两端短路；有数个电容并联跨接在辐射槽缝的两个边缘，使得辐射槽缝的特性阻抗变低；同轴馈线的一端是天线的端口，同轴馈线另一端的内导体跨过辐射槽缝，在辐射槽缝的边缘，与金属地连接。

改变加载电容的数量、容值和间距，可以调节辐射槽缝的特性阻抗，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝的电长度。

电容并联加载到辐射槽缝的两个边缘，不仅使得槽缝传输线的特性阻抗降低至易于与馈电传输线匹配额，而且还降低了槽缝传输线的相速，使得半波长辐射槽缝的长度减小，实现辐射槽缝进而天线的小型化。同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线的工作频率主要由辐射槽缝的谐振频率确定，但是金属地的尺寸、同轴馈线内导体与辐射槽缝连接的位置也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。

有益效果：本发明的同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线的有益效果是，该天线可以减小整个天线的电尺寸、实现小型化，同时还具有抑制天线的交叉极化、改善端口之间隔离，和减少金属地的遮挡的作用。

附图说明

图1为同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线整体结构示意图。

图2为同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线中单极化的电容加载天线的结构示意图。

图中有：介质基板1、金属地2、辐射槽缝3、同轴馈线4、外导体5、两端6、电容7、端口8、内导体9，边缘10和单极化的电容加载天线11。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

本发明所采用的实施方案是：同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线包括三个相互垂直放置的单极化的电容加载天线11；每个单极化的电容加载天线11包括介质基板1、设置在介质基板1上的金属地2和辐射槽缝3、同轴馈线4；介质基板1的一面是金属地2，同轴馈线4的外导体5与金属地2相贴连接；金属地2上有辐射槽缝3，辐射槽缝3的形状是矩形，辐射槽缝3位于金属地2的中心；辐射槽缝3的两端6短路；有数个电容7并联跨接在辐射槽缝3的两个边缘，使得辐射槽缝3的特性阻抗变低；同轴馈线4的一端是天线的端口8，同轴馈线4另一端的内导体9跨过辐射槽缝3，在辐射槽缝3的边缘10，与金属地2连接。

改变加载电容7的数量、容值和间距，可以调节辐射槽缝3的特性阻抗，可以改变天线的工作频率、工作频带的宽度和辐射槽缝3的电长度。

同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线的工作频率主要由辐射槽缝3的谐振频率确定，但是金属地2的尺寸、同轴馈线内导体9与辐射槽缝3连接的位置也可以对天线的工作频率和匹配程度进行调节。

在工艺上，同轴馈电电容加载的三极化槽缝天线既可以采用普通的印刷电路板(PCB)工艺，也可以采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺或者CMOS、Si基片等集成电路工艺实现。电容7可以根据工作频率选择相应封装的贴片电容7，并根据电容7两引脚电极的距离，选择辐射槽缝3的宽度。在制造上，三个单极化的电容加载天线13可以通过卡槽相互垂直安装在一起，或者通过粘结剂相互垂直粘结在一起，或者两种方法一起使用。

根据以上所述，便可实现本发明。