[发明专利]一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片在审
| 申请号： | 201610218194.1 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105679196A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘海明 | 申请（专利权）人： | 深圳市丽格特光电有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33;H01L33/48;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 led 量子 技术 彩色 高分辨率 显示 芯片 | ||
1.一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示芯片，其特征在于：所述 该芯片利用氮化镓基LED的发光来激发尺度不同的硒化镉（CdSe）量子点（QD）分别产生红， 绿，蓝三元色，所述该芯片一个像素由红，绿，蓝三个独立发光的微米级LED组成，所述激光 发量子点由n-Gan与p-Gan组成，所述激发量子点的Gan基蓝光芯片采用倒装GaN基LED，所述 p-GaN的电极通过键合的方法转移到其它衬底，所述衬底上形成有像素的驱动电路。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述激发量子点的Gan基红光芯片、蓝光芯片均与激发量子点的Gan基蓝 光芯片结构相对应。
3.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述n-Gan中，其n-层通过激光剥离或其它机械，化学方法与原来的蓝宝 石衬底分离。
4.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述衬底是Si，AlN以及其他金属。
5.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述芯片发光部分是夹在N-GaN和pGAN之间的InGaN/GaN量子阱MWQ。
6.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述像素的红，绿，蓝LED尺度均为微米级。
7.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述像素的红，绿，蓝LED的高度为4-20μm。
8.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述像素的红，绿，蓝LED的形状为六面体、圆柱体或四面体。
9.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述像素的红，绿，蓝LED的上截面尺度为1μm-80μm。
10.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓LED和量子点技术的全彩色高分辨率微显示 芯片，其特征在于：所述红光LED在N-GaN上涂覆上CdSe的红光量子点材料并用树脂封装，所 述绿光LED在N-GaN上涂覆上CdSe的绿光量子点材料并用树脂封装。
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