[发明专利]软启动电路及其复位信号产生电路有效

专利信息
申请号: 201610216922.5 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN107276382B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 翁芊;肖艳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郭学秀;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 启动 电路 及其 复位 信号 产生
【权利要求书】:

1.一种复位信号产生电路,用于产生软启动时误差放大器电路所需的复位信号,其特征在于,包括:

电源电压监控电路,适于基于非时钟信号,对电源电压进行监控,并根据监控结果输出相应的控制信号,包括:当确定所述电源电压上升至预设的第一预设电压时,输出第一控制信号,当确定所述电源电压上升至预设的第二预设电压时,输出第二控制信号;

复位控制电路,适于当接收到所述第一控制信号时,控制所述误差放大器中电容进行放电,并将所述电容的电压复位至零;当接收到所述第二控制信号时,向所述误差放大器发出软启动信号,以使得所述电容的电压逐渐上升;所述电源电压监控电路包括:

第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管,以及第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管;

所述第一PMOS管的源端与所述电源电压耦接,栅端分别与所述第二PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端耦接,漏端与所述第二PMOS管的源端耦接;

所述第二PMOS管的漏端与所述第三PMOS管的源端耦接,所述第三PMOS管的漏端与所述第四PMOS管的源端耦接;

所述第四PMOS管的栅端分别与所述第一NMOS管的栅端和所述第四NMOS管的漏端耦接,所述第四PMOS管的漏端与所述第一NMOS管的漏端耦接,所述第一NMOS管的源端和所述第二NMOS管的源端接地;

所述第五PMOS管的源端与所述第六PMOS管的源端和所述电源电压耦接,所述第五PMOS管的漏端分别与所述第五PMOS管的栅端、所述第六PMOS管的栅端、所述第二NMOS管的漏端和所述第三NMOS管的漏端耦接;

所述第三NMOS管的栅端分别与所述第四NMOS管的栅端、所述第四NMOS管的漏端、所述第五PMOS管的漏端和所述第四PMOS管的栅端和第一NMOS管的栅端耦接,第三NMOS管的源端与所述第四NMOS管的源端均接地。

2.根据权利要求1所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述电源电压监控电路还包括:第一电压下拉单元,耦接于所述第四NMOS管的栅端与地线之间,适于在处于开启状态时,将所述第四NMOS管的栅端电压下拉至地,以关闭所述第四NMOS管。

3.根据权利要求2所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述第一电压下拉单元为第五NMOS管;

所述第五NMOS管栅端与第一电压下拉控制信号耦接,漏端与所述第四NMOS管的栅端耦接,源端接地。

4.根据权利要求1所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述电源电压监控电路还包括:限流单元,耦接于所述第三NMOS管的源端与地线之间,适于对所述电源电压监控单元进行限流。

5.根据权利要求4所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述限流单元为电阻。

6.根据权利要求4所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述电源电压监控电路还包括:第二电压下拉单元,耦接于第二NMOS管的栅端与地线之间,适于在处于开启状态时,将所述第二NMOS管的栅端电压下拉至地,以关闭所述第二NMOS管。

7.根据权利要求6所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述第二电压下拉单元为第六NMOS管;

所述第六NMOS管的栅端与第二电压下拉控制信号耦接,漏端与第二NMOS管的栅端耦接,源端接地。

8.根据权利要求1所述的复位信号产生电路,其特征在于,所述复位控制电路包括第一反相器、第二反相器和第七NMOS管;

所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的栅端耦接,所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端耦接,所述第二反相器的输出端与所述第七NMOS管的栅端耦接,所述第七NMOS管的源端和漏端分别与所述误差放大器电路耦接。

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