[发明专利]一种上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201610216863.1 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN105811941B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 杨瑞聪;林桂江;廖建平;杨凤炳;任连峰;刘玉山;沈滨旭 申请(专利权)人: 厦门新页微电子技术有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司11223 代理人: 张则武
地址: 361008 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 复位 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子技术领域,特别涉及一种应用于无线充电控制芯片的上电复位电路。

背景技术

通常情况下,电路系统在上电初期,电源电压还未达到稳定的预期状态时,许多电路元器件(例如,半导体器件等)以及电路节点的电压和逻辑状态是不稳定的。为了使电路系统在每次上电后都能从设计者所期望的状态开始操作,可以利用上电复位(Power On Reset,简称为POR)电路在电源稳定后的一段时间内,该复位信号可强制电路系统处在设计者所期望的初始状态,待复位信号的有效期结束后,电路系统再从所期望的初始状态开始运行。即,它可以对电路系统中的其它模块进行复位操作,从而消除上电初始时电路模块的不稳定态。

传统的上电复位电路,一般采用PMOS对电容充电,电容极板的电压缓慢上升,经过数级反相器进行整形输出,这种电路结构,如果上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL~VIH之间抖动,上电复位输出信号将出现跳变,可能会引起芯片内部其他电路模块的异常。而且,该电路如果要增加上电复位时间,需要减小充电PMOS管的宽长比或者增大电容面积,需要增加芯片面积、改变芯片的布局。因此,上述电路具有以下缺点:1、上电复位输出信号不稳定,容易出现跳变的情况,可能会引起芯片内部其他电路模块的异常;2、不易调整上电复位时间。

发明内容

因此,针对上述的问题,本发明提出一种上电复位电路,该电路通过上电复位模块设两个串联开关,通过调整两个串联开关的闭合或断开,可调整充电电流,进而调整上电复位时间,避免增加芯片面积;采用反馈锁存模块将上电复位模块产生的上电复位电压信号进行锁存,可有效抑制上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL~VIH之间抖动,输出稳定的上电复位信号,避免上电复位电压信号出现跳变的情况,其中反馈锁存模块还设有两个NMOS管串联组成的反馈支路,通过开启反馈支路,反馈上电复位电压信号,可实现加速稳定输出上电复位电压信号。

为了解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:

上电复位电路,包括顺次电性连接的偏置电流产生模块、上电复位模块及反馈锁存模块;所述偏置电流产生模块用于产生偏置电流;上电复位模块用于产生上电复位电压信号,其中,上电复位模块包括两个串联开关,通过控制两个串联开关的闭合或断开,来调整偏置电流产生模块产生的偏置电流,进而调整上电复位时间;所述反馈锁存模块用于将上电复位模块产生的上电复位电压信号进行锁存,从而抑制上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL~VIH之间的抖动,避免输出的上电复位电压信号出现跳变的情况。

为了实现输出稳定的上电复位信号,避免上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL~VIH之间抖动,导致上电复位输出信号出现跳变的情况,可能会引起芯片内部其他电路模块的异常,作为一个优选方案,本发明利用反馈锁存模块将上电复位模块产生的上电复位电压信号进行锁存,可有效抑制上电阶段电源电压在反相器输入电压VIL~VIH之间抖动,避免输出的上电复位电压信号出现跳变的情况,且本发明反馈锁存模块还设有两个NMOS管串联组成的反馈支路,通过开启反馈支路,反馈上电复位电压信号,可实现加速稳定输出上电复位电压 信号。

作为优选方式,所述反馈支路为第四NMOS管N3和第五NMOS管N4串联组成的支路。

作为一种优选的方式,所述偏置电流产生模块包括第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1及电阻R0;所述第一PMOS管P0的源极连接电源电压,第一PMOS管P0的栅极与漏极相连,第一PMOS管P0的栅极与第二PMOS管P1的栅极连接,第一PMOS管P0的漏极与电阻R0的输入端连接,电阻R0的输出端与第一NMOS管N0的漏极连接,第一NMOS管N0的栅极连接电源电压,第一NMOS管N0的源极接地,所述第二PMOS管P1的源极连接电源电压,第二PMOS管P1的栅极与第一PMOS管P0的栅极连接,第二PMOS管P1的漏极所第二NMOS管N1的漏极连接,第二NMOS管N1的漏极与栅极相连,第二NMOS管N1的源极接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门新页微电子技术有限公司,未经厦门新页微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610216863.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top