[发明专利]表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法

权利要求书

1.表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，在具有背电极的永久衬底上依次设置有金属键合层、ODR反射镜、外延层、ITO扩展电流扩展层和主电极；所述ODR反射镜由相互连接的金属反射层和介质膜层构成，介质膜层与外延层相连接；金属反射层和金属键合层相连接；其特征在于：ITO电流扩展层表面呈粗化状，ITO电流扩展层与外延层之间设置有欧姆接触点；所述外延层从下至上依次为：p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、n-AlGaInP限制层、n-GaAs欧姆接触层，其中p-GaP窗口层与ODR介质膜层连接，n-GaAs欧姆接触层通过欧姆接触点和ITO电流扩展层相连。

2.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于ITO电流扩展层表面粗化状图形特征尺寸为5nm～200nm。

3.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于所述介质膜层为SiO₂、Si₃N₄、MgF₂、ITO中的至少任意一种。

4.根据权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED，其特征在于所述金属反射层为Ag、Al、Au、AuZn合金、AuBe合金中的至少任意一种。

5.如权利要求1所述表面覆盖ITO层的反极性AlGaInP基LED的制造方法，包括以下步骤：

1）在临时衬底上依次外延生长缓冲层、腐蚀截止层、n-GaAs欧姆接触层、n-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p-AlGaInP限制层、p-GaP窗口层，形成外延片；

2）在外延片的p-GaP窗口层上依次制作介质膜层、金属反射层和金属键合层；

3）在永久衬底正面制作金属键合层；

4）通过外延片上的金属键合层和永久衬底上的金属键合层，将外延片键合到永久衬底上，形成键合的半制成品；

5）去除键合好的半制成品上的临时衬底、缓冲层和腐蚀截止层，露出n-GaAs欧姆接触层；

6）光刻、蒸镀金属、Lift-off制作出欧姆接触点；

7）蚀刻出n-GaAs欧姆接触层图形，只保留欧姆接触点下方的n-GaAs欧姆接触层；

8）在n-AlGaInP限制层及欧姆接触点上方沉积一层ITO电流扩展层，并将ITO电流扩展层表面作粗化处理；

9）在ITO电流扩展层表面进行光刻、蒸镀金属、Lift-off完成主电极制作；

10）在ITO电流扩展层表面进行光刻，发光区表面形成光刻胶保护层，只露出切割道，然后用ITO蚀刻液蚀刻掉切割道的ITO电流扩展层，再蚀刻出切割道，蚀刻深度达到p-GaP窗口层；

11）在永久衬底背面制作背电极；

12）切割、裂片，取得LED芯片。

6.根据权利要求5所述制造方法，其特征在于所述步骤2）中，所述介质膜层为SiO₂、Si₃N₄、MgF₂、ITO中的至少任意一种。

7.根据权利要求5或6所述制造方法，其特征在于所述步骤2）中，所述金属反射层为Ag、Al、Au、AuZn合金、AuBe合金中的至少任意一种。

8.根据权利要求5所述制造方法，其特征在于所述步骤8）中，所述ITO电流扩展层表面粗化状图形特征尺寸为5nm～200nm。