[发明专利]蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜电致发光器件领域，特别是涉及一种蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点(quantumdots，QDs)是由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。量子点一般为球形或类球形，是由半导体材料(通常由Ⅱ B～Ⅵ A或Ⅲ A～Ⅴ A元素组成)制成的、稳定直径在2～20nm的纳米粒子。量子点是在纳米尺度上的原子和分子的集合体，既可由一种半导体材料组成，如由IIB.VIA族元素(如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe等)或IIIA.VA族元素(如InP、InAs等)组成，也可以由两种或两种以上的半导体材料组成。作为一种新颖的半导体纳米材料，量子点具有许多独特的纳米性质，并且可以应用作为薄膜电致发光器件的发光层。

然而，由于薄膜电致发光器件常用的透明阳极ITO功函数为4.8eV，其与QDs的HOMO能级(>6.0eV)相差较远，因此造成QLED器件中空穴注入势垒普遍较高，需要高HOMO能级的空穴注入材料来帮助空穴的注入，然而当前常用的空穴注入材料其HOMO能级一般为5.2eV～6.0eV，对于红光QDs(～6.0eV)来说基本能满足空穴注入的要求，然而对于绿光QDs(～6.5eV)和蓝光QDs(～6.8eV)来说，由于空穴注入势垒较高，很难满足空穴注入的要求。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够解决空穴注入势垒较高的问题的蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法。

一种蓝光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极；

所述蓝光量子点发光层的材料为蓝光量子点，所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；

所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2.2nm。

在一个实施例中，所述蓝光量子点为核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点或核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点，所述核壳结构的CdSe@ZnS蓝光量子点的粒径为3nm～6nm，所述核壳结构的ZnCdS@ZnS蓝光量子点的粒径为8nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”为ZnS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”为ZnS包覆ZnCdS。

在一个实施例中，所述蓝光有机发光材料选自氨基取代的联苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯钾盐、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-联苯和双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱中的至少一种。

在一个实施例中，所述阳极的材料为ITO、FTO、AZO或IZO，所述阳极的厚度为80nm～200nm。

在一个实施例中，所述空穴注入层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐的混合物，所述空穴注入层的厚度为20nm～40nm。

在一个实施例中，所述空穴传输层的材料选自聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))中的至少一种，所述空穴传输层的厚度为20nm～40nm。

在一个实施例中，所述电子传输层的材料选自N-芳基苯并咪唑、二苯基邻菲咯啉、氧化锌和二氧化钛中的至少一种，所述电子传输层的厚度为30nm～60nm。

在一个实施例中，所述电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯和氟化铯中的至少一种，所述电子注入层的厚度为0.5nm～5nm。

在一个实施例中，所述阴极的材料为铝、银、镁、钡或钙，所述阴极的厚度为80nm～150nm。

上述的蓝光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：

提供基底并对所述基底进行清洗；

在清洗干净的所述基底上形成阳极；

在所述阳极上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层、空穴传输层和蓝光量子点发光层，其中，所述蓝光量子点发光层的材料为蓝光量子点，所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm～15nm；以及

在所述蓝光量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，所述蓝光能量传递层的材料为蓝光有机发光材料，所述蓝光能量传递层的厚度为0.2nm～2nm。