[发明专利]可照射出特定平面几何图形光斑LED芯片的制备方法及结构

权利要求书

1.一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：

（1）、提供衬底，在所述衬底上形成LED薄膜，包括缓冲层、n型层、发光层和p型层；

（2）、在所述的LED薄膜上依次形成互补电极层、反射金属接触层、粘结保护层；

（3）、提供支撑基板，在所述支撑基板的正面依次形成基板正面保护层、键合层，在所述支撑基板的反面依次形成基板反面保护层、接触层；

（4）、采用晶圆热压键合方法，通过键合层和粘结保护层将所述LED薄膜与基板绑定在一起；

（5）、去除所述衬底；

（6）、制成垂直结构的LED芯片，包括n型层表面粗化、去边形成切割道、钝化、n电极；

所述n电极的形状与互补电极层的形状形成互补的平面几何图形结构，n电极和互补电极层所对应的芯片区域发光亮度低，无互补电极层所对应的芯片区域发光亮度高，反射金属接触层的材料与LED薄膜之间的接触电阻较低，且具有高反射率，粘结保护层的材料与LED薄膜之间的接触电阻很高，且具有较低反射率。

2.根据权利要求1所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述的互补电极层为圆形、方形、三角形、五角星形状的平面几何图形结构，或互补电极层的图形结构中包含各种文字形状。

3.根据权利要求1所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：形成互补电极层的方法为采用等离子体刻蚀，破坏LED薄膜材料的表面，使LED表面与反射金属接触层之间的欧姆接触电阻变大；或采用刻蚀工艺刻蚀掉LED薄膜材料的电流扩展层，使LED薄膜的电流扩展能力变差；或直接在LED薄膜表面层叠与LED薄膜形成高接触电阻的金属层。

4.根据权利要求1所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述反射金属接触层的材料与LED薄膜形成较低的欧姆接触电阻，且具有高反射率的金属单层，或具有高反射率的叠层结构。

5.根据权利要求4所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述反射金属接触层的材料为Ag、Al、Pt、Rh、Ni/Ag、Ag/Ni/Ag、Ni/Al或Ni/Ag/Ni/Ag中的一种。

6.根据权利要求1所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述的粘结保护层的材料与LED薄膜层之间的接触电阻很高，且具有低反射率的具有抗酸碱腐蚀能力的金属单层；或粘结保护层为叠层结构，且叠层结构中与LED薄膜接触的第一层材料难以与其形成低欧姆接触电阻，且具有低反射率，叠层材料具有抗酸碱腐蚀能力；粘结保护层的另外一个作用是要与键合层绑定在一起，要求粘结保护层为叠层结构的最后一层材料不易氧化，且与键合层材料具有较好的浸润性。

7.根据权利要求1所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法，其特征在于：所述粘结保护层的材料为Cr、Pt、Ti、W、Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pt/Ag、Cr/Pt/Ag/Cu/Ag、Cr/Pt/Cr/Pt/Au/Ag、Ti/Pt/Au或Ti/W/Ti/Pt/Au中的一种。

8.一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的结构，包括：基板层，其特征在于：在基板层的下面依次从下至上为接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层；在基板层的上面依次设有键合层，粘结保护层和反射金属接触层；外延层，外延层由依次从下至上为互补电极层、p型层、发光层和n型层组成；n电极位于n型层之上；

所述n电极的形状与互补电极层的形状形成互补的平面几何图形结构，n电极和互补电极层所对应的芯片区域发光亮度低，无互补电极层所对应的芯片区域发光亮度高，反射金属接触层的材料与LED薄膜之间的接触电阻较低，且具有高反射率，粘结保护层的材料与LED薄膜之间的接触电阻很高，且具有较低反射率。

9.根据权利要求8所述的照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的结构，其特征在于：所述的键合层的厚度为1μm～10μm，所述的粘结保护层的厚度为 0.1 μm～10μm，所述的反射金属接触层的厚度为0.05μm～0.5 μm，所述的基板正面保护层的厚度为0.5 μm～10 μm，所述的基板的厚度为60μm～600μm，所述的接触层的厚度为0.1 μm～ 10μm。