[发明专利]半导体结构及其形成方法和检测方法有效
| 申请号： | 201610210758.7 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107293589B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;G01R31/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 检测 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括邻近的器件区和测试区；
位于所述器件区的半导体器件，所述器件区包括分别位于测试区两侧的第一器件区和第二器件区；所述半导体器件包括：位于所述第一器件区的第一器件；位于所述第二器件区的第二器件；
所述第一器件包括：位于所述第一器件区基底上的第一栅极结构；位于所述第一栅极结构和测试栅极结构之间基底中的第一源区，其中，所述第一栅极结构包括：位于所述第一器件区基底上的第一栅介质层；位于所述第一栅介质层上的第一功函数层；位于所述第一功函数层上的第一栅极；
所述第二器件包括：位于所述第二器件区基底上的第二栅极结构；位于所述第二栅极结构和测试栅极结构之间基底中的第二源区，其中，所述第二栅极结构包括：位于所述第二器件区基底上的第二栅介质层；位于所述第二栅介质层上的第二功函数层；位于所述第二功函数层上的第二栅极；
位于所述测试区基底表面的测试栅极结构，所述测试栅极结构包括：位于所述测试区基底表面的导热栅介质层；位于所述导热栅介质层上的测试功函数层，位于所述测试功函数层上的测试栅极；
所述第一源区、第二源区和测试栅极结构形成第三器件；
所述第一功函数层与第二功函数层的类型相同，所述测试功函数层与所述第一功函数层和第二功函数层的类型不同。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导热栅介质层的材料为高k介质材料。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导热栅介质层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化铪硅、氧化镧、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试栅极为金属栅极。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件为NMOS晶体管，所述第二器件为NMOS晶体管；
所述第一功函数层和第二功函数层的材料为钛铝合金；
所述测试功函数层的材料为氮化钛或氮氧化钛。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件和第二器件的阈值电压在0.1V～0.4V的范围内；
所述第三器件的阈值电压在0.8V～1.5V的范围内。
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