[发明专利]一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法

权利要求书

1.一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法，其特征是以低温气相沉积的方法在硅片表面沉积掺杂氧化硅作为扩散源层，沉积扩散源层的厚度为10-200纳米。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述低温气相沉积的方法是低温化学气相沉积法或低温物理溅射法。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述的化学气相沉积法为等离子辅助化学气相沉积或热丝化学气相沉积，沉积过程中以硅烷和二氧化碳作为硅源和氧源。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征是以磷烷和硼烷分别作为n型掺杂和p型掺杂的气源，沉积掺杂氧化硅层的磷或者硼原子浓度为10¹⁸-10²²cm^-3。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述的低温物理气相沉积法为磁控溅射法或离子束溅射法，以掺杂了原子密度为10¹⁸-10²²cm^-3的磷或者硼的氧化硅作为靶材进行溅射沉积，沉积了扩散源层的硅片在800-1000℃温度范围内在空气气氛中进行扩散，扩散结束后以HF酸去除硅片表面残留的扩散源层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是在沉积工艺进行前进行350-500℃范围内的低温热处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的扩散源层为单面沉积掺杂氧化硅层或双面沉积掺杂氧化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征是双面沉积掺杂氧化物层同为n型或p型掺杂源，或者分别为n型和p型掺杂源。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征是沉积过程在管式炉中完成，或者在链条式或辊道式连续炉中完成。

10.权利要求1-9中任一权利要求所述的方法制备的扩散层用于同质结晶硅太阳电池作为发射极或/和背电场，或用于同质异质结晶硅太阳电池，或用于双面进光太阳电池。