[发明专利]一种电致发光显示器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光显示器件及其制作方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管（QLED）具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，所以二者是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，近年来成为了业界研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，所以顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。

为了改善顶发射型器件的发光均匀性，往往会引入与顶部透明电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降，改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制作在发光区域上。根据辅助电极的制作位置，可以将辅助电极分为制作在TFT（薄膜晶体管）阵列上的下辅助电极以及制作在CF（彩色滤光片）上的上辅助电极。

对于制作在TFT阵列上的下辅助电极，一般是通过光刻工艺或者精细金属掩膜在顶部透明电极上制作，其对制作工艺的对位精度要求高。并且光刻工艺的显影、刻蚀、剥离等工序会对顶电极造成一定的破坏，而金属掩膜则会随着面板尺寸的增大在重力作用下形成应力弯曲，导致对位不准的问题。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电致发光显示器件及其制作方法，旨在解决现有的下辅助电极制作工艺会对顶电极造成破坏、以及对位不准的问题。

本发明的技术方案如下：

一种电致发光显示器件的制作方法，其中，包括步骤：

A、在已制作了底部电极的TFT平坦层上依次形成高导电层以及导电疏水膜；

B、通过构图工艺将高导电层以及导电疏水膜图案化，使高导电层形成辅助电极；

C、在TFT平坦层上形成包裹在高导电层以及导电疏水膜两侧的像素界定层；

D、在发光区域的底部电极上形成电致发光层；

E、最后沉积顶部透明电极以封装电致发光显示器件。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述高导电层为银、铜、铝、钼或它们的合金。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述导电疏水膜为碳纳米管经由表面氟化处理所得，或者碳纳米管与聚合物的复合薄膜。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述复合薄膜中，聚合物为橡胶或树脂。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述辅助电极与导电疏水膜的总厚度大于或等于像素界定层的厚度。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述电致发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层，其中发光层为有机发光层或量子点发光层。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述顶部透明电极为透明金属或导电氧化物。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述顶部透明电极同时沉积在电致发光层和辅助电极上。

所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述电致发光显示器件为正装结构或倒置结构。

一种电致发光显示器，其中，采用如上所述的制作方法制成。

有益效果：本发明通过在TFT平坦层上制作辅助电极，并在辅助电极上端沉积一层导电疏水膜，防止发光元件的各功能层材料在辅助电极上沉积。利用本发明的制作工艺，可实现顶部透明电极与辅助电极的良好接触，进而提高发光器件的亮度均匀性，并且不会对顶部电极造成破坏。

附图说明

图1为本发明一种电致发光显示器件的制作方法较佳实施例的流程图。

图2至图5为本发明一种电致发光显示器件在制作过程中不同阶段的剖视图。

图6为本发明中一种正装结构的电致发光显示器件的结构示意图。

图7为本发明中一种倒置结构的电致发光显示器件的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种电致发光显示器件及其制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，图1为本发明一种电致发光显示器件的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：