[发明专利]一种半导体电容器及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体电容器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有下部电极；

在所述下部电极的上方形成绝缘层；

在所述下部电极和所述绝缘层上形成间隙壁，所述间隙壁位于所述绝缘层的顶部表面上和位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上，以完全覆盖所述下部电极和所述绝缘层，其中，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分具有平缓的坡度，以提高预定形成的自对准硅化物层的覆盖性能；

在所述间隙壁上形成自对准硅化物层，以形成上部电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分呈平滑的曲线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述曲线的切线与所述基底用于形成所述下部电极的表面之间的夹角为锐角。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述下部电极和所述绝缘层上形成间隙壁的步骤包括：

在所述下部电极和所述绝缘层上形成间隙壁材料层，以覆盖所述下部电极和所述绝缘层；

在所述间隙壁上形成间隙壁掩膜层；

以所述间隙壁掩膜层为掩膜蚀刻所述间隙壁材料层，以形成所述间隙壁，所述间隙壁包括位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分和位于所述基底上的部分；

去除所述间隙壁掩膜层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述间隙壁上形成自对准硅化物层的步骤包括：

沉积半导体材料层，以覆盖所述间隙壁；

对所述半导体材料层图案化，以去除所述间隙壁上方之外的部分；

将所述半导体材料进行自对准硅化物工艺，以形成所述自对准硅化物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述下部电极和所述绝缘层的步骤包括：

提供下部电极材料层，并进行高温氧化，以在所述下部电极材料层表面形成氧化物；

在所述下部电极材料层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成图案化的掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述绝缘层，以去除部分所述绝缘层；

以所述绝缘层为掩膜蚀刻所述下部电极材料层和所述氧化物，以形成所述下部电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体电容器包括多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器。

8.一种通过权利要求1至7之一所述方法制备的半导体电容器，其特征在于，所述半导体电容器包括：

下部电极；

绝缘层，位于所述下部电极的上方；

间隙壁，位于所述下部电极和所述绝缘层上，其中，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分具有平缓的坡度；

上部电极，包括自对准硅化物层，位于所述间隙壁上。

9.根据权利要求8所述的半导体电容器，其特征在于，所述间隙壁位于所述下部电极和所述绝缘层的侧壁上的部分呈平滑的曲线，所述曲线的切线与所述基底用于形成所述下部电极的表面之间的夹角为锐角。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求8至9之一所述的半导体电容器。