[发明专利]液晶显示设备的驱动方法有效
| 申请号: | 201610204680.8 | 申请日: | 2010-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN105761688B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
| 发明(设计)人: | 丰高耕平;楠纮慈 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶显示 设备 驱动 方法 | ||
1.一种液晶显示设备,包括:
像素,每个像素包括:
晶体管,其包含第一氧化物半导体层和所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层;
液晶元件;以及
电容器,
其中,所述液晶元件包括像素电极、公共电极以及设置在所述像素电极和所述公共电极之间的液晶,
其中,所述电容器包括第一电极和第二电极,
其中,所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述像素电极,
其中,所述晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第一电极,
其中,所述第二电极电连接到所述公共电极,
其中,在所述液晶显示设备关闭前,将公共电位输入到所述像素的所述公共电极,使得所述第一电极与所述第二电极之间的电位差消失,
其中,在所述第一电极与所述第二电极之间的所述电位差消失后,所述液晶的状态处于非响应状态,
其中,所述公共电位不是地电位,
其中,所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层各自包含铟、镓和锌,以及
其中,所述第二氧化物半导体层包括沿c轴对准的晶体。
2.如权利要求1所述的液晶显示设备,其特征在于,所述晶体管的在室温下每微米沟道宽度的截止状态电流密度小于或等于1×10-17A/μm。
3.如权利要求1所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第一氧化物半导体层的载流子浓度低于1×1014/cm3。
4.一种液晶显示设备,包括:
像素,每个像素包括:
第一晶体管,其包含包括沟道区的第一氧化物半导体层;
液晶元件;以及
电容器;以及
所述像素外侧的第二晶体管,
其中,所述液晶元件包括像素电极、公共电极以及设置在所述像素电极和所述公共电极之间的液晶,
其中,所述电容器包括第一电极和第二电极,
其中,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述像素电极,
其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述第一电极,
其中,所述第二电极电连接到所述公共电极,
其中,所述公共电极电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个,
其中,在所述液晶显示设备关闭前,将公共电位输入到所述像素的所述公共电极,使得所述第一电极与所述第二电极之间的电位差消失,
其中,在所述第一电极与所述第二电极之间的所述电位差消失后,所述液晶的状态处于非响应状态,
其中,在活动图像要被显示的周期中,向所述像素电极供应图像信号,并且通过所述第二晶体管向所述公共电极供应所述公共电位,
其中,在静止图像要被显示的周期中,停止向所述像素电极供应所述图像信号并且所述第二晶体管截止,使得所述公共电极的电位被置于浮置状态。
5.如权利要求4所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第一晶体管的在室温下每微米沟道宽度的截止状态电流密度小于或等于1×10-17A/μm。
6.如权利要求4所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第一氧化物半导体层的载流子浓度低于1×1014/cm3。
7.如权利要求4所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第一氧化物半导体层包含铟、镓和锌。
8.如权利要求4所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第二晶体管包括包含沟道区的第二氧化物半导体层。
9.如权利要求8所述的液晶显示设备,其特征在于,所述第二晶体管的在室温下每微米沟道宽度的截止状态电流密度小于或等于1×10-17A/μm。
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