[发明专利]一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法

权利要求书

1.一种聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是包括如下步骤：

（1）按1:1-1:1.03的摩尔比称取单体二元胺和二酐，将二元胺单体溶于酰胺类溶剂，将 反应温度控制在20-50℃，慢慢加入二酐单体，待全部加完后继续搅拌1.5h-3h，制得聚酰胺 酸溶液；

（2）用酰胺类溶剂将聚酰胺酸溶液稀释至浓度为0.20%-1.00%，将稀释后的溶液用匀胶 机旋涂到氧化铟锡玻璃片上，旋涂的层数为1-8层，随后将该氧化铟锡玻璃片置于70℃-100 ℃的电热板上加热烘干，在氧化铟锡玻璃片上形成聚酰胺酸薄膜；

（3）将涂覆有聚酰胺酸薄膜的氧化铟锡玻璃片置于烘箱中，于200℃-280℃下高温亚胺 化0.5h-2h，随后自然冷却至室温，得到聚酰亚胺功能层；

（4）在步骤（3）所得的聚酰亚胺功能层上制备一层电极作为顶电极，完成聚酰亚胺阻变 存储器的制备。

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是：

步骤（1）和（2）所述的酰胺类溶剂为N，N′-二甲基甲酰胺或N，N′-二甲基乙酰胺。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是：步骤（1）所述二 元胺单体为4，4＇-二氨基二苯醚、2，2-双（4-氨基苯氧基苯基）丙烷、1，3-双（4-氨基苯氧基） 苯、1，4-双（4-氨基苯氧基）苯或9，9-双（4-氨基苯基）芴中的一种；

所述二酐单体为均苯四甲酸二酐、二苯醚四甲酸二酐、2，3，3'，4-联苯四甲酸二酐或3， 3'，4，4'-联苯四甲酸二酐中的一种。

4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是：步骤（2）制得的 聚酰胺酸薄膜的厚度为60-300nm。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是：步骤（3）制得的 聚酰亚胺功能层的厚度为50-300nm。

6.根据权利要求1所述的聚酰亚胺阻变存储器的制备方法，其特征是：步骤（4）中顶电 极的厚度为50-300nm。