[发明专利]一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置

说明书

本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置，包括真空室、门体、阳极靶、阴极靶、驱动机构和抽真空装置；真空室的上盖与真空室的室底相对，真空室的侧壁连接上盖和室底，以形成一腔室；侧壁上开设有一开口；门体与真空室连接，用于盖设于开口；阳极靶和阴极靶设置在真空室的内部，且，阳极靶与阴极靶相对设置，阴极靶位于室底与阳极靶之间；驱动机构穿过室底与阴极靶相连；抽真空装置与真空室连通。本申请在真空室的侧壁上设置门体，在需要清理沉积物垃圾时，打开侧壁上的门体，将真空吸头从真空室的侧壁伸到内部进行清扫，真空吸头不再需要拐弯，易于清理底部的沉积物垃圾，清理彻底，不会污染下一次沉积过程。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置。

背景技术

类金刚石碳膜(Diamond Like Carbon，DLC)是一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料，其不仅兼具了金刚石和石墨的优良特性，还具有高硬度、高电阻率和良好光学性能，同时又具有自身独特摩擦学特性，可广泛用于机械、电子、光学、热学、声学和医学等领域。

由于DLC是亚稳态材料，在制备过程中需要荷能离子轰击生长表面，通常，采用物理气相沉积方法、化学沉积方法或等离子体增强化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)方法进行制备，而PECVD方法由于沉积速率快、成膜质量好，被广泛应用于DLC的制备。沉积装置在制备DLC的过程中会出现沉积物垃圾，沉积物垃圾在沉积装置的底部积累，若不及时清理干净，沉积物垃圾将会影响下一次沉积。

现有技术在清理沉积物垃圾时，首先将真空室的上盖升起，接着将真空吸头从真空室的上方伸入到真空室的底部，对底部的沉积物垃圾进行清理，由于真空吸头往往不方便拐弯，因此，在清理真空室底部的沉积物垃圾时，清扫难度大，存在清理不彻底的问题，难以将沉积物垃圾清理干净，影响下一次沉积。

发明内容

本发明通过提供一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置，解决了现有技术中难以清理位于沉积装置底部的沉积物垃圾的技术问题。

本发明实施例提供了一种前开门式类金刚石碳膜沉积装置，包括真空室、门体、阳极靶、阴极靶、驱动机构和抽真空装置；

所述真空室的上盖与所述真空室的室底相对，所述真空室的侧壁连接所述上盖和所述室底，以形成一腔室；

所述侧壁上开设有一开口；

所述门体与所述真空室连接，用于盖设于所述开口；

所述阳极靶和所述阴极靶设置在所述真空室的内部，且，所述阳极靶与所述阴极靶相对设置，所述阴极靶位于所述室底与所述阳极靶之间；

所述驱动机构穿过所述室底与所述阴极靶相连；

所述抽真空装置与所述真空室连通。

优选的，所述门体上具有一探视窗。

优选的，所述门体呈方形或圆形。

优选的，还包括升降机构；

所述升降机构与所述上盖相连。

优选的，所述升降机构为电动升降机构或液压升降机构。

优选的，所述驱动机构为电机。

优选的，还包括调节阀；

所述调节阀设置在所述抽真空装置与所述真空室连通处。

优选的，所述调节阀为可调电动阀。

优选的，所述抽真空装置为分子泵。

本发明实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：