[发明专利]一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：设置有第一氧化物层、设置于第一氧化物层之上的金属膜夹层和设置于金属膜夹层之上的第二氧化物层；

所述第一氧化物层为单层或复合多层宽禁带一元氧化物非晶态薄膜，所述宽禁带一元氧化物为氧化钛、氧化铝、氧化锆或氧化镁；

所述金属膜夹层为银或铜单质薄膜，或者为含银、铜的合金薄膜；

所述第二氧化物层为透明氧化物非晶态薄膜，所述透明氧化物为金属氧化物(In₂O₃)_x(MO)_y(ZnO)_z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z＝1，M为镓、锡、钛、铝、镁、钽、铪、镱、锆中的一种元素或两种以上的元素的任意组合。

2.根据权利要求1所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：所述第一氧化物层的厚度为1nm～100nm。

3.根据权利要求2所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：所述金属膜夹层的厚度为7nm～12nm。

4.根据权利要求3所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：所述第二氧化物层的厚度为5～15nm。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：所述第一氧化物层具体是采用热生长或者等离子增强的原子层沉积方式，在80-250℃下生长成膜制备而成；

所述第二氧化物层具体是采用热生长或者等离子增强的原子层沉积方式，在80-250℃下生长成膜制备而成，或者采用物理气相方式制备而成。

6.根据权利要求5所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜，其特征在于：所述金属膜夹层采用物理气相方式制备，具体是在本底真空小于5×10^-3Pa的状态下，在溅射气压为0.1Pa～1.0Pa、溅射功率为50W～500W、溅射速率为0.2nm/s～1.0nm/s的的条件下进行溅射成膜，溅射成膜过程中，衬底的温度为20℃～150℃。

7.一种如权利要求1至6任意一项所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜在硬质衬底上采用片到片方式制备。

8.一种如权利要求1至6任意一项所述的应用于柔性光电器件的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述透明导电薄膜在柔性衬底上采用卷到卷方式制备；所述柔性衬底包括金属箔、超薄玻璃、聚酰亚胺薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底、聚萘二甲酸乙二醇酯衬底、聚醚醚酮衬底或聚甲基丙烯酸甲酯衬底。