[发明专利]一种硅锗固溶体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610197314.4 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105839146B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 肖巍;汪的华;周静;曾晨;王海龙 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C25C5/04 | 分类号： | C25C5/04;C25D3/66;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 430072 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 固溶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅锗固溶体的制备方法，其特征在于，包括方案一或方案二；
所述方案一具体为：以包括硅前驱物和锗前驱物的复合材料作为阴极，以惰性电极作为阳极，以含有CaCl2的熔体为电解液，400～1000℃电解得到硅锗固溶体粉末；
所述方案二具体为：以导电基底作为阴极，以惰性电极作为阳极，以含有硅前驱物、锗前驱物和CaCl2的熔体为电解液，在导电基底上400～1000℃电解得到硅锗固溶体薄膜或硅锗固溶体阵列电极材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅前驱物中的硅元素与锗前驱物中的锗元素的摩尔比为(0.001～1000):1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅前驱物为二氧化硅和金属硅酸盐中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锗前驱物为二氧化锗和金属锗酸盐中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方案一中电解的电位为正于碱金属析出电位，负于-0.2V；
所述方案二中电解的电位为正于碱金属析出电位，负于-0.2V。
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