[发明专利]一种生产高洁净度镁或镁合金的多炉联合式熔铸设备和工艺有效

专利信息
申请号: 201610196892.6 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN107289782B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 陈荣石;马跃群;侯丹辉;吴军伟;韩恩厚;柯伟 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: F27B19/04 分类号: F27B19/04;C22B26/22;C22C1/02;C22C23/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 生产 洁净 镁合金 联合 熔铸 设备 工艺
【权利要求书】:

1.一种生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:该工艺是利用多炉联合式熔铸设备进行,所述多炉联合式熔铸设备包括熔化炉、净化炉和保温静置炉;所述熔化炉用于镁或镁合金的熔化及合金化,熔化炉内的镁或镁合金熔体被移送到净化炉中;所述净化炉用于对镁或镁合金熔体的净化处理;净化后的熔体在净化炉内上浮汇聚后,被移送到保温静置炉内进行后续浇注作业;

所述生产高洁净度镁或镁合金的工艺,包括如下步骤:

(1)原材料清理干净,预热至100~200℃备用;

(2)熔化炉内坩埚设定温度控制范围在600~850℃,升温,当熔化炉内坩埚呈现暗红色时,在坩埚底部撒入不超过镁或镁合金质量1%的熔剂,将镁锭由投料孔加入,在镁锭上再覆盖一层不超过镁或镁合金质量1%的熔剂,加盖熔化;镁锭熔化完毕后,加入其它配料进行合金化,搅拌均匀,取成分样送检;

(3)在净化炉中放入坩埚和筛网结构,设定温度控制范围在600~850℃,加入净化用熔剂,升温,然后合盖密封;

(4)将保温静置炉内坩埚设定温度控制范围在600~850℃,升温,当坩埚到设定温度后将其合盖密封,并在坩埚中制造用于防止镁或镁合金燃烧的保护性气氛;

(5)用保温管路Ⅰ连接升液管Ⅰ和降液管Ⅰ,用保温管路Ⅱ连接升液管Ⅱ和降液管Ⅱ,控制管路温度在室温~850℃;通过使熔化炉内的气压增加的方式或移液泵将镁合金熔体从熔化炉内坩埚经过净化炉内坩埚传送至保温静置坩埚;熔体移送完毕后断开移送管路;对保温静置炉内坩埚加盖密封,启动后续作业。

2.根据权利要求1所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:所述熔化炉内的熔体通过保温管路Ⅰ被移送到净化炉中,净化炉中的熔体通过保温管路Ⅱ被移送到保温静置炉内;所述熔化炉、净化炉和保温静置炉内均设置相应的配套坩埚,各步操作均在相应的坩埚内进行。

3.根据权利要求2所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:所述净化炉内的坩埚中放置熔融的液态熔剂和筛网结构,所述筛网结构浸没在熔融的液态熔剂中;所述液态熔剂的密度大于镁或镁合金的密度。

4.根据权利要求3所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:所述熔铸设备中的熔体通过外加压力或移液泵的方式移送;保温管路Ⅰ的一端连接熔化炉内坩埚中的升液管Ⅰ,升液管Ⅰ的下部开口位于熔化炉内坩埚的下部空间;保温管路Ⅰ的另一端连接净化炉内坩埚中的降液管Ⅰ,筛网结构位于净化炉内坩埚的下部空间;保温管路Ⅱ的一端连接净化炉内坩埚中的升液管Ⅱ,升液管Ⅱ的下部开口位于坩埚的上部空间,保温管路Ⅱ的另一端与保温静置炉内坩埚中的降液管Ⅱ相连接;完成高洁净化的熔体通过升液管Ⅲ送至后续工序。

5.根据权利要求4所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:靠近所述降液管Ⅰ的下部设有筛网结构。

6.根据权利要求3或4所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:所述熔化炉内的镁或镁合金熔体通过保温管路Ⅰ移送到净化炉中,穿过熔融熔剂和筛网结构,熔体在熔融熔剂中被强制弥散分布而得到净化。

7.根据权利要求1所述的生产高洁净度镁或镁合金的工艺,其特征在于:步骤(4)中,在保温静置坩埚内制造用于保护镁或镁合金的保护性气氛的方式为吹入硫磺粉末或者通入含硫或含氟的的气体。

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