[发明专利]一种面板型植物促生长LED灯在审

专利信息
申请号: 201610194173.0 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN105698021A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 魏建东;傅立铭 申请(专利权)人: 苏州汉克山姆照明科技有限公司
主分类号: F21K9/23 分类号: F21K9/23;F21V19/00;F21V29/87;F21V31/00;F21Y113/10;F21Y115/10
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215163 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 面板 植物 生长 led
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种面板型植物促生长LED灯,属于照明照具技术领域。

背景技术

30年前NASA火星计划提出植物人工隔离环境栽培于外太空成长的可能性为植物工厂最早的概念,植物工厂是目前植物栽培领域最为先进技术,是栽培模式发展的最高境界,植物工厂内补光系统是最为重要的系统,它是构成植物生物量的一种主要能源,没有光照,植物光合作用就不能正常进行,一切代谢与活动所需的能量就不能供给,植物的正常生长就不能进行,根据科学家对光照的多年研究表明,植物的光合作用单元叶绿素对于特定波段的光源有嗜好性,如红光、蓝光、远红光,除了这些光外,其它光质的光照利用率转换率并不高,有时反而有不良影响,为了使植物工厂内的植物有更高的光合作用效率,一般选择红蓝光为主的人工补光系统,但是LED的单一波长窄频谱却无法发挥全面性故本发明则为制造一宽频谱蓝光。

目前植物灯均采用蓝光与红光做促长,事实上由于LED灯出光的半波宽不宽故并无法完全满足植物需求,且在植物生长过程中的不同阶段所需要的光谱能量也不尽相同故需要对光谱做调整;此外,植物如在密闭空间种植一般都是高湿环境使植物能快速生长,原有灯具对立体栽种与高湿环境都不合适。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种面板型植物促生长LED灯,不仅能提供植物生长所需要的光照还能适用于高湿环境。

为解决现有技术问题,本发明采用的技术方案:一种面板型植物促生长LED灯,包括板状灯体,若干个固定在板状灯体上的基板,若干个LED芯片,以及将每个LED芯片封装在基板上的胶层;LED芯片包括蓝光芯片与红光芯片,其中部分封装蓝光芯片的胶层为红色荧光粉胶层。

优选的,每个基板上固定有覆盖基板上所有LED芯片的透镜。

优选的,基板与透镜之间通过硅胶圈密封。

优选的,基板上设置有收容线路的防水接头。

优选的,板状灯体上未固定有基板的位置处还开设有若干引流孔。

优选的,基板为铝基板。

优选的,基板与板状灯体之间设置有导热膏层。

优选的,蓝光芯片为440~485nm波段芯片,红光芯片为620~630nm波段芯片。

本发明具有的有益效果:

1、通电后能够发出三种不同的光线以适应植物生长过程的不同阶段需要,并能通过透镜改变光线角度以覆盖更多的植物,从而扩大光照范围。

2、基板上设置有防水接头,能够统一收容连接线路提供防水保护。

3、采用硅胶圈密封,确保透镜内外两侧完全隔绝,防止外界水汽对LED芯片、内部基板或连接线路造成危害。

4、板状灯体上开设引流孔,有效避免高湿度条件下凝结积水不会积存于该LED灯上。

5、基板与板状灯体之间涂覆有导热膏,从而将LED芯片产生的大量热量快速传递到板状灯体上并利用其较大的面积快速散热。

附图说明

图1是本发明的结构立体图;

图2是本发明的结构俯视图;

图3是图2中A-A向剖视图。

附图标记:1、板状灯体;2、基板;3、LED芯片;4、透镜;5、防水接头;6、引流孔。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。

如图1至3所示,一种面板型植物促生长LED灯,包括板状灯体1,四个基板2,若干个LED芯片3,以及四个透镜4。

基板2为铝基板2,按照设计要求固定在板状灯体1的主板面上。基板2与板状灯体1之间还设置有导热膏,基板2的下方还设置防水接头5,用于收容线路同时提供防水保护。

LED芯片3包括蓝光芯片与红光芯片,所有LED芯片3通过胶层封装在基板2上,其中部分封装蓝光芯片的胶层为红色荧光粉胶层,用于发出粉红色光线;如此一来,该灯具备三种颜色的光,足以满足植物生长过程不同阶段的光照要求。上述LED芯片3利用基板做成三串共正独立的LED线路负端加上可被控制线调整电流的电路。

在每个基板2上固定有一个透镜4,并通过硅胶圈进行密封,每个透镜4完全覆盖基板2上的所有LED芯片3以实现改变光线角度的目的。

板状灯体1上未固定有基板2的位置处还开设有若干引流孔6。

蓝光芯片为440~485nm波段芯片,红光芯片为620~630nm波段芯片。

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