[发明专利]一种切割式多圈QFN/DFN封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子封装、QFN/DFN封装领域，具体是一种切割式多圈QFN/DFN封装件及其制造方法。

背景技术

现有技术存在的问题：

1、现有的多圈QFN/DFN产品采用二次蚀刻工艺，加工工艺复杂；

2、二次蚀刻成本很高；

3、二次蚀刻对环境污染较大，影响产品可靠性；

4、现有的多圈QFN/DFN无法电镀，只能采用镍钯金框架，但镍钯金框架打镀钯铜线比较困难。目前行业大多用金线，提高了封装成本。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种切割式多圈QFN/DFN封装件及其制造方法，具有工艺简单、成本低、污染小的特点。

一种切割式多圈QFN/DFN封装件，主要由多圈框架、镀银层、芯片、焊线、塑封体和镀锡层组成；所述多圈框架上部有镀银层，所述从镀银层侧向多圈框架内部有凹槽，芯片与多圈框架连接，焊线连接芯片和镀银层，塑封体包裹镀银层、芯片、焊线、多圈框架的上部，填充凹槽；所述多圈框架下部有镀锡层，从镀锡层侧向多圈框架内部有切割槽，切割槽与凹槽贯通。

一种切割式多圈QFN/DFN封装件的制造方法，具体按照以下步骤进行：

第一步，上芯、压焊、塑封；

第二步，电镀，在多圈框架下部镀镀锡层；

第三步，半切割，从镀锡层侧向多圈框架内部切割，并与凹槽贯通。

本发明优点：

1、采用特殊结构的框架，用半切割分离的方法替代蚀刻，形成多圈QFN/DFN（三圈、四圈甚至更多）；

2、切割分离的特点：

（1）工艺简单；

（2）成本低；

（3）塑封完成后可进行背面电镀；

（4）半切割工艺对环境污染较小，没有用蚀刻的化学药水，不会造成离子污染。

附图说明

图1为本封装件的多圈框架图；

图2为本封装件镀锡图；

图3为本封装件切割图。

图中，1为多圈框架；2为镀银层；3为芯片；4为焊线；5为塑封体；6为镀锡层；7为凹槽；8为切割槽。

具体实施方式

下面根据附图对本发明做一具体说明。

一种切割式多圈QFN/DFN封装件，主要由多圈框架1、镀银层2、芯片3、焊线4、塑封体5和镀锡层6组成；所述多圈框架1上部有镀银层2，所述从镀银层2侧向多圈框架1内部有凹槽7，芯片3与多圈框架1连接，焊线4连接芯片3和镀银层2，塑封体5包裹镀银层2、芯片3、焊线4、多圈框架1的上部，填充凹槽7；所述多圈框架1下部有镀锡层6，从镀锡层6侧向多圈框架1内部有切割槽8，切割槽8与凹槽7贯通。

图1为多圈框架1结构图。

一种切割式多圈QFN/DFN封装件的制造方法，具体按照以下步骤进行：

第一步，上芯、压焊、塑封，如图2所示；

第二步，电镀，在多圈框架1下部镀镀锡层6，如图2所示；

第三步，半切割，从镀锡层6侧向多圈框架1内部切割，并与凹槽7贯通，如图3所示。