[发明专利]电化学处理器在审
| 申请号： | 201610190369.2 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105714343A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·J·威尔逊;保罗·R·麦克休;凯尔·M·汉森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D5/08 | 分类号： | C25D5/08;C25D17/00;C25D17/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学 处理器 | ||
1.一种电化学处理晶片的方法，包含以下步骤：
使所述晶片面朝下的表面接触电解质溶液；
提供电流，使所述电流从第一电极经由所述电解质流到所述晶片的表面，在电镀开始时，所述电流在所述晶片的表面或其附近有近乎垂直的伏特等值线，在电镀结束时，所述伏特等值线变成近乎水平的等值线；以及
所述电流流动促使电镀槽中的金属离子沉积于所述晶片的表面。
2.一种电化学处理晶片的方法，包含以下步骤：
使所述晶片表面接触电解质溶液；
提供电流，使所述电流从电极经由所述电解质流到所述晶片表面，且表面电阻Rs/Rbath大于1；
所述电流流动促使电镀槽中的金属离子沉积于所述晶片的表面。
3.一种电化学处理晶片的方法，包含以下步骤：
使所述晶片表面接触电解质溶液；
提供第一电流，使所述第一电流从阳极经由所述电解质流到所述晶片的表面；
提供来自取样电极的第二电流，使所述第二电流流过所述电解质，并且取样比率(传送到所述晶片的电流/传送到所述取样电极的电流)大于1.5；以及
所述电流流动促使电镀槽中的金属离子沉积于所述晶片的表面。
4.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述晶片的直径为450mm。
5.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述金属包含铜。
6.如权利要求3所述的方法，其中所述取样比率大于2.5。
7.如权利要求3所述的方法，其中所述取样比率大于5。
8.如权利要求3所述的方法，其中所述取样比率大于10。
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