[发明专利]一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法

权利要求书

1.一种吸水率可调的硅瓷薄板，包括基板和位于基板上的装饰层，其特征是：

所述的硅瓷薄板由基板和位于基板上的釉面装饰层构成；

所述的基板为无机材料发泡层；

所述无机材料发泡层的原料配方为：

长石：10至30份；粘土：15至40份；石英：5至10份；高岭土：10至25份；硅灰石：5至15份；石灰石：8至15份；辅助增粘剂：1至5份；

经过高温烧制后所述硅瓷薄板的厚度为3至6毫米；

经过高温烧制后所述硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；

所述硅瓷薄板的单块长、宽尺寸比例为2∶1至3∶1；

所述硅瓷薄板的单块面积等于或大于2平方米；

所述的硅瓷薄板适用于建筑物内、外墙面的装饰；

其中，所述的釉面装饰层为常规的釉面装饰层；

所述的辅助增粘剂为工业级海菜粉、汉生胶、刺槐豆胶、卡波树脂、改性蒙脱石或有机膨润土；

所述吸水率可调的硅瓷薄板，在釉面装饰层下面设置由无机材料发泡层构成的基板，通过调节无机材料发泡层发泡率的大小或不同的发泡尺寸，来实现整个建筑板材的吸水率可调功能。

2.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述的硅瓷薄板，通过改变无机材料发泡层原料配方中各组分的配比，调节无机材料发泡层发泡率的大小，进而实现硅瓷薄板的吸水率可调。

3.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述的硅瓷薄板通过控制、调节所述无机材料发泡层中发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。

4.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述硅瓷薄板的单块长×宽尺寸为2米×1米、2.4米×1.2米或3.6米×1.2米。

5.一种如权利要求1所述硅瓷薄板的制备方法，其特征是所述的制备方法包括下列步骤：

A、按照无机材料发泡层的配方，配制基板原料；

B、对基板原料进行混合、研磨；

C、对基板原料进行压滤成饼，获得基板饼料；

D、采用真空练泥机对获得的基板饼料进行“均化”操作，得到基板泥料；

E、采用挤压机对“均化”后的基板泥料进行“一次挤压成型”操作，将基板泥料一次挤压成宽度为1.3米以上的基板板料；

F、采用红外线干燥法对基板板料进行“第一次干燥”操作；

G、对“第一次干燥”后的基板板料进行“素烧”操作，得到素板；

H、对素板进行“施釉”操作，在素板的表面形成釉面料层；

I、利用窑炉废气的回收热能对经过“施釉”操作的素板进行“第二次干燥”操作；

J、对经过“第二次干燥”操作的、表面带有釉面料层的素板进行“釉烧”操作，得到硅瓷薄板的粗品；

K、对硅瓷薄板的粗品进行按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品；

在所述的B步骤中，对基板原料的混合、研磨时间为10～12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为30～35％，混合、研磨后基板原料的粒度要求为325目筛的过筛剩余量小于3％；

在所述的D步骤中，采用真空练泥机对获得的基板饼料进行捏合、搅拌，实现基板饼料的“均化”操作；

在所述的F步骤中，“第一次干燥”操作的温度为100～250度，时间为80～120分钟，经过“第一次干燥”操作后基板板料的含水率≤5％；

在所述的I步骤中，“第二次干燥”操作的温度为150～200度，时间为30～60分钟，经过“第二次干燥”操作后素板的含水率≤1％；

在所述的H步骤中，所述“素烧”操作的温度为1000～1150度，时间为40～80分钟；

在所述的J步骤中，所述“釉烧”操作的温度为1100～1230度，时间为60～120分钟；

所述硅瓷薄板的制备方法，通过改变所述无机材料发泡层原料中各组分的配比，调节发泡率的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调；

或者，所述硅瓷薄板的制备方法，通过控制所述“素烧”操作或“釉烧”操作的温度及时间，调节发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。