[发明专利]太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、对太阳能电池基体进行预处理；

(2)、在太阳能电池基体的背表面使用金属浆料印刷3～6根等分的背面主栅并烘干，其中一根背面主栅设置在太阳能电池基体的边缘；

(3)、使用切割装置沿步骤(2)中印刷的背面主栅将太阳能电池基体切割成片；

(4)、将切割后的太阳能电池基体的正表面铺设粘附有掺铝银浆或者银浆的金属线并烘干，其中远离背面主栅的金属线延伸出太阳能电池基体的边缘，延伸部分的金属线用于串接太阳能电池基体；

(5)、将步骤(4)得到的太阳能电池基体烧结，完成太阳能电池的制备。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述金属线为镀银铜线、铝线或者铜线，所述金属线的直径为40-80微米，远离背面主栅的金属线延伸出太阳能电池基体的边缘6-10mm。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(5)中烧结的峰值温度为850-950℃；所述切割装置是激光切割机。

4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述背面主栅宽2-6mm；所述金属浆料是银浆或者掺铝银浆。

5.根据权利要求1～4任一所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述太阳能电池基体是P型太阳能电池基体，在步骤(2)中，太阳能电池基体的背表面使用铝浆印刷背面铝电极并进行烘干。

6.根据权利要求5所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中对太阳能电池基体进行预处理的步骤为：

S1P、选择的P型太阳能电池基体，并对P型太阳能电池基体的表面作制绒处理；P型太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，其厚度为50～300μm；

S2P、将步骤S1P处理后的P型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中进行磷扩散，磷源采用三氯氧磷，扩散温度为800-900℃，时间为60-120分钟；磷扩散后的方阻值为50-150Ω/sqr；

S3P、将磷扩散后的P型太阳能电池基体放入刻蚀清洗机中，去除背面的磷扩散层和正面的磷硅玻璃层；

S4P、将步骤S3P处理后的P型太阳能电池基体放入PECVD设备中，在正表面镀上氮化硅层。

7.根据权利要求1～4任一所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述太阳能电池基体是N型太阳能电池基体，所述N型太阳能电池基体的背表面印刷有H型栅线电极并烘干。

8.根据权利要求7所述的一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中对太阳能电池基体进行预处理的步骤为：

S1N、选择N型太阳能电池基体，并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理；N型太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；N型太阳能电池基体的厚度为50～300μm；

S2N、将步骤S1N处理后的N型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散，硼源采用三溴化硼，扩散温度为920-1000℃，时间为60-180分钟；硼扩散后的方阻值为40-100Ω/sqr；

S3N、将硼扩散后的硅基体放入刻蚀清洗机中，去除背面的硼扩散层和正面的硼硅玻璃层；

S4N、使用离子注入机在步骤S3N处理后的N型太阳能电池基体背面注入磷原子并进行退火处理，退火的峰值温度为700～950℃，退火时间为30～200min，环境气源为N2和O2；

S5N、将步骤S4N处理后的N型太阳能电池基体放入清洗机中，去除正面和背面的氧化层；

S6N、将步骤S5N处理后的N型太阳能电池基体放入PECVD设备中，在正面和背面均镀上氮化硅层。

9.根据权利要求1～8任一所述的一种太阳能电池的制备方法制备得到的太阳能电池的串接方法，其特征在于：首先在太阳能电池基体的背面主栅上涂覆锡膏或者导电胶，然后将第一块太阳能电池基体的金属线压在第二块太阳能电池基体背面主栅的锡膏或者导电胶上，加热至183-250摄氏度完成正面金属线和背面主栅的连接；重复这一步骤即可完成多块电池片的串接。