[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610182437.0 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN105789322B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;津吹将志;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，
在具有绝缘表面的衬底上具有栅电极层，
在所述栅电极层上具有栅极绝缘层，
在所述栅极绝缘层上具有氧化物半导体层，
在所述氧化物半导体层上具有源电极层及漏电极层，
在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上具有与所述氧化物半导体层的一部分及所述栅极绝缘层的一部分接触的保护绝缘层，
所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌，
在室温以上180℃以下的温度范围中，阈值电压的变动幅度为3V以下。
2.一种半导体装置，其特征在于，
在具有绝缘表面的衬底上具有栅电极层，
在所述栅电极层上具有栅极绝缘层，
在所述栅极绝缘层上具有氧化物半导体层，
在所述氧化物半导体层上具有源电极层及漏电极层，
在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层及所述漏电极层上具有与所述氧化物半导体层的一部分及所述栅极绝缘层的一部分接触的保护绝缘层，
所述氧化物半导体层包含铟、镓及锌，
在－25℃以上150℃以下的温度范围中，阈值电压的变动幅度为3V以下。
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