[发明专利]一种基于离子掺杂的长余辉纳米材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610182169.2 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105754595A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 袁荃;王杰;马覃勤 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;F21V9/16;A61K49/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 掺杂 余辉 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种长余辉纳米材料，其特征在于：其表达式为Zn1+xGa2-2xGexO4:0.75％Cr，其中，0≤x≤0.5。
2.根据权利要求1所述的长余辉纳米材料，其特征在于：所述的长余辉纳米材料的颗粒尺寸为7nm～80nm。
3.根据权利要求2所述的长余辉纳米材料，其特征在于：
所述的长余辉纳米材料成分组成为ZnGa2O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为7nm；
所述的长余辉纳米材料成分组成为Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为9nm；
所述的长余辉纳米材料成分组成为Zn1.2Ga1.6Ge0.2O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为14nm；
所述的长余辉纳米材料成分组成为Zn1.3Ga1.4Ge0.3O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为22nm；
所述的长余辉纳米材料成分组成为Zn1.4Ga1.2Ge0.4O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为32nm；
所述的长余辉纳米材料成分组成为Zn1.5GaGe0.5O4:0.75％Cr时，颗粒尺寸为80nm。
4.一种基于离子掺杂制备长余辉纳米材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：将硝酸锌溶液、硝酸镓溶液、锗酸钠溶液以及硝酸铬溶液一起混合，投料摩尔比为Zn(NO3)2:Ga(NO3)3:Na2GeO3:Cr(NO3)3＝(1+x):(2-2x):x:0.0075,0≤x≤0.5；搅拌下迅速加入氨水，调节混合溶液pH至10；然后将混合溶液转移至高温水热釜中，于120℃反应24h；反应完成后，自然冷却至室温，将产物离心，所得固体用去离子水洗涤，然后在100℃下烘干，即得到权利要求1所述的长余辉纳米材料。
5.权利要求1-3任一项所述的长余辉纳米材料在显示、照明和生物成像领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610182169.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
