[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；

穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的源电极、漏电极及栅电极；

覆盖在所述第一介质层、所述源电极、所述漏电极、所述栅电极上的第二介质层；

穿过所述第二介质层，且与所述源电极及所述第一介质层接触的场板，所述场板覆盖所述栅电极。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述场板包括自下而上依次形成的Ti层、Pt层和Au层；或者，所述场板包括自下而上依次形成的Al层、Si层和Cu层。

3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述场板的厚度为300纳米。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述场板接触所述第一介质层的一端与所述栅电极之间的距离为1微米，与所述漏电极之间的距离为10微米。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅电极顶面与所述场板之间的所述第二介质层的厚度为500纳米。

6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅电极的底部嵌入在所述半导体有源层中。

7.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成半导体有源层；

在所述半导体有源层上形成第一介质层；

形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的源电极和漏电极；

形成穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层接触的栅电极；

在所述第一介质层、所述源电极、所述漏电极、所述栅电极上形成第二介质层；

形成穿过所述第二介质层，且与所述源电极及所述第一介质层接触的场 板，所述场板覆盖所述栅电极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成所述源电极和所述漏电极的步骤包括：

利用光刻工艺对所述第一介质层进行刻蚀，在所述第一介质层上形成暴露所述半导体有源层的第一接触孔和第二接触孔；

依次用氢氟酸、第一清洗液及第二清洗液对暴露的表面进行清洗；所述第一清洗液包括氨水和双氧水，所述第二清洗液包括盐酸和双氧水；

在所述第一介质层上形成第一金属层；

利用光刻工艺对所述第一金属层进行刻蚀，形成所述源电极和所述漏电极；所述源电极在所述第一接触孔中与所述半导体有源层接触；所述漏电极在所述第二接触孔中与所述半导体有源层接触。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述同时形成所述源电极和所述漏电极的步骤后，且在所述形成所述栅电极的步骤前，还包括：

在840℃的条件下，在N₂氛围内对已形成的所述源电极和所述漏电极退火30秒。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述形成所述场板的步骤包括：

利用光刻工艺对所述第二介质层进行刻蚀，在所述第二介质层上形成暴露所述源电极的第三接触孔和暴露所述第一介质层的第四接触孔；所述第四接触孔位于所述栅电极与所述漏电极之间；

在所述第二介质层上形成第二金属层；

利用光刻工艺对所述第二金属层进行刻蚀，形成覆盖所述栅电极的场板，所述场板在所述第三接触孔中与所述源电极接触，在所述第四接触孔中与所述第一介质层接触。