[发明专利]氮化镓晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；

在所述铝镓氮势垒层上沉积氮化硅介质层；

制造所述氮化镓晶体管的欧姆接触电极；

对制造所述欧姆接触电极后的氮化镓晶体管进行第一退火处理；

制造所述氮化镓晶体管的栅极；

对制造所述栅极后的氮化镓晶体管进行第二退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度为840摄氏度，所述第一退火处理的时间为30秒，所述第一退火处理在氮气氛围中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二退火处理的温度为400摄氏度，所述第二退火处理的时间为20分钟，所述第二退火处理在氮气氛围中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓晶体管的欧姆接触电极，具体包括：

刻蚀左右两侧部分区域的氮化硅介质层，分别形成第一欧姆接触孔和第二欧姆接触孔；

依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对所述第一欧姆接触孔和第二欧姆接触孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；

在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第二欧姆接触孔上方及所述氮化硅介质层上方沉积欧姆电极金属层；

对所述氮化硅介质层上方的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓晶体管的栅极，具体包括：

刻蚀中间部分区域的氮化硅介质层，形成介质层开孔，在所述介质层开孔内刻蚀部分铝镓氮势垒层，形成栅极接触孔；

在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方及所述氮化硅介质层上方沉 积栅极金属层；

对所述氮化硅介质层上方的栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第二欧姆接触孔上方及所述氮化硅介质层上方沉积欧姆电极金属层具体包括：

在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第二欧姆接触孔上方及所述氮化硅介质层上方采用磁控溅射镀膜工艺依次沉积钛层，铝层，钛层及氮化钛层，以形成欧姆电极金属层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钛层的厚度为200埃，所述铝层的厚度为1200埃，所述氮化钛层的厚度为200埃。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方及所述氮化硅介质层上方沉积栅极金属层具体包括：

在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方及所述欧姆接触电极之间的氮化硅介质层上方采用磁控溅射镀膜工艺依次沉积镍层和金层，以形成栅极金属层。