[发明专利]大功率半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201610178253.7 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230627A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/285;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种大功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体有源层上形成具有接触孔的介质层，所述接触孔暴露所述半导体有源层；
用碱性溶液对暴露的所述半导体有源层进行表面处理。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液为KOH溶液或氨水。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述碱性溶液的质量百分比浓度为15％～25％；所述进行表面处理的时间为1～5分钟。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在半导体有源层上形成具有接触孔的介质层的步骤包括：
形成所述半导体有源层；
在所述半导体有源层上形成所述介质层；
利用光刻工艺对所述介质层进行刻蚀，在所述介质层上形成暴露所述半导体有源层的所述接触孔。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体有源层上形成所述介质层的步骤包括：
在所述半导体有源层上形成Si3N4钝化层；
在所述Si3N4钝化层上形成PETEOS氧化层。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述半导体有源层包括自上而下依次形成的Si衬底、GaN层和AlGaN层。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述用碱性溶液对暴露的所述半导体有源层进行表面处理的步骤之前，还包括：
用氢氟酸、第一清洗液及第二清洗液对暴露的表面进行清洗；所述第一清洗液包括氨水和双氧水，所述第二清洗液包括盐酸和双氧水。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述用碱性溶液对暴露的所述半导体有源层进行表面处理之后，还包括：
在所述介质层上形成欧姆电极金属层；
利用光刻工艺对所述欧姆电极金属层进行刻蚀，形成欧姆接触电极，所述欧姆接触电极接触所述半导体有源层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述介质层上形成欧姆电极金属层之后，且在对所述欧姆电极金属层进行刻蚀之前，还包括：
在840℃的条件下，在N2氛围内对所述欧姆电极金属层退火30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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