[发明专利]氮化镓肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层和氮化铝镓势垒层；

在所述氮化铝镓势垒层上依次淀积氮化硅钝化层和氧化层；

对所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阴极接触孔；

在所述氧化层的表面上采用磁控溅射方法溅射阴极金属；

对除所述阴极接触孔上的阴极金属之外的其他阴极金属进行光刻刻蚀，形成阴极；

对表面上未覆盖有阴极金属的所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阳极接触孔和浮空场板接触孔；

在所述氧化层的表面上采用磁控溅射方法溅射阳极金属；

对除所述阳极接触孔和所述浮空场板接触孔上的阳极金属之外的其他阳极金属进行光刻刻蚀，形成阳极和浮空场板；

在所述氧化层的表面上进行电极开孔，形成氮化镓肖特基二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阴极接触孔，包括：

对所述氧化层进行光刻刻蚀，形成第一开孔；

在所述第一开孔内对所述氮化硅钝化层进行刻蚀，形成阴极接触孔。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对除所述阴极接触孔上的阴极金属之外的其他阴极金属进行光刻刻蚀，形成阴极，包括：

在所述阴极金属的表面上进行涂胶；

对除所述阴极接触孔上的阴极金属之外的其他阴极金属进行曝光显影刻蚀，形成阴极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对表面上未覆盖有阴极金属的所述氧化层和所述氮化硅钝化层进行光刻刻蚀，形成阳极接触孔和浮空场板接触孔，包括：

对表面上未覆盖有阴极金属的所述氧化层进行光刻刻蚀，在所述氧化层表面上的中部形成第二开孔，在所述氧化层表面上的右端形成第三开孔；

在所述第二开孔内对所述氮化铝镓势垒层进行光刻刻蚀，形成浮空场板接触孔；

在所述第三开孔内对所述氮化铝镓势垒层进行光刻刻蚀，形成阳极接触孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对除所述阳极接触孔和所述浮空场板接触孔上的阳极金属之外的其他阳极金属进行光刻刻蚀，形成阳极和浮空场板，包括：

在所述阳极金属的表面上进行涂胶；

对除所述阳极接触孔和所述浮空场板接触孔上的阳极金属之外的其他阳极金属进行曝光显影刻蚀，形成阳极和浮空场板。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层为等离子体增强正硅酸乙脂氧化层。

7.一种氮化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：

硅衬底、依次设置在所述硅衬底上的氮化镓缓冲层、氮化铝镓势垒层、氮化硅钝化层和氧化层；

所述氧化层和所述氮化硅钝化层上依次设置有阴极接触孔、浮空场板接触孔和阳极接触孔；

所述阴极接触孔内设置有阴极；所述浮空场板接触孔内设置有浮空场板；所述阳极接触孔内设置有阳极。

8.根据权利要求7所述的氮化镓肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层为等离子体增强正硅酸乙脂氧化层。